[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一扫描线，具有一分支；

一数据线，与该扫描线交错排列，该分支位于该数据线下方，且该分支与该数据线重叠；

一半导体图案，该半导体图案包括：

至少二通道区，位于该扫描线下方；

至少一掺杂区，连接于该些通道区之间；

一源极区与一漏极区；以及

一像素电极，与该漏极区电性连接，该源极区连接于其中一个通道区与该数据线之间，而该漏极区连接于另一个通道区与该像素电极之间。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，至少一该通道区位于该分支下方，并且位于该分支下方的该通道区的长度与该分支的宽度相同。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体图案包括一多晶硅图案。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该半导体图案还包括一电容电极，与该漏极区以及该像素电极电性连接，该电容电极位于该像素电极下方。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括一共享电极，配置于该电容电极与该像素电极之间。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，该电容电极与该分支分别位于该扫描线的两侧。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该掺杂区的形状包括L形。

8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体图案由该数据线的一第一侧延伸至该数据线的一第二侧。

9.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该通道区下方的部份该扫描线、该源极区与该漏极区构成一多晶硅薄膜晶体管。