[发明专利]一种可提高套刻测试准确性的方法无效
申请号: | 201010229924.0 | 申请日: | 2010-07-19 |
公开(公告)号: | CN102338988A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 沈小娟 | 申请(专利权)人: | 无锡职业技术学院 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/3213 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214121 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 测试 准确性 方法 | ||
1.一种可提高套刻测试准确性的方法,其特征是在正常铝光刻前,采用光刻、刻蚀的方式,将套刻测量标记外框上的铝腐蚀掉,将铝溅射后不对称的标记变成对称的,该方法包括如下步骤:第一步,进行溅射铝工序;第二步,对溅射铝后的圆片进行光刻工序,本工序包含涂胶、曝光、显影是三个操作;第三步:刻蚀对位标记上的铝。
2.如权利要求1所述的一种可提高套刻测试准确性的方法第二步光刻工序中,掩膜版图形只对套刻测量标记区域曝光。
3.如权利要求1所述的一种可提高套刻测试准确性的方法第三步刻蚀工序中,只有圆片上特定的需应用于当前层套刻测试的标记上的铝才必须去除。
4.如权利要求1所述的一种可提高套刻测试准确性的方法中,对测试用标记进行对位曝光,外框之间的区域上的铝应保留,不能去除。
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