[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法和光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成型半导体激光元件的制造方法、集成型半导体激光元件以及光装置，特别涉及包括接合第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的工序的集成型半导体激光元件的制造方法、集成型半导体激光元件以及光装置。

背景技术

现有技术中，已知一种在蓝紫色半导体激光元件上接合红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的集成型半导体激光装置。这种半导体激光装置例如在日本特开2005-317919号公报中公开了。

在上述日本特开2005-317919号公报中，公开了在使用GaN基板形成的蓝紫色半导体激光元件中，接合了使用GaAs基板形成的红色半导体激光元件和红外半导体激光元件的集成型半导体激光装置。在这种半导体激光装置的制造工艺中，通过除去在蓝紫色半导体激光元件晶片的表面上接合的红色/红外半导体激光元件晶片中不需要的部分，在蓝紫色半导体激光元件晶片的表面上的预定位置上形成互相分离状的红色和红外半导体激光元件。然后，在这种状态下，将晶片劈开成条形(长方形)，在各个半导体激光元件上形成谐振器面。

但是，对于在上述日本特开2005-317919号公报中公开的集成型半导体激光元件，在制造工艺中，晶片彼此接合之后，除去红色·红外半导体激光元件晶片中的不需要部分之后，为了在蓝紫色半导体激光元件晶片的预定位置上形成互相分离的红外和红外半导体激光元件，必须从晶片上除去不需要的部分，因此存在效率降低的问题。

发明内容

根据本发明的第一方案的集成型半导体激光元件的制造方法，其是一种接合了第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的集成型半导体激光元件的制造方法，其包括：通过接合形成有多个第一半导体激光元件的第一长方形基板和形成有多个第二半导体激光元件的第二长方形基板而形成第三长方形基板的工序；和分割第三长方形基板的工序，使得具有沿着谐振器延伸的第一方向延伸的第一侧面和第二侧面的第一半导体激光元件的第一侧面从形成具有沿着第一方向延伸的第三侧面和第四侧面的第二半导体激光元件的第三侧面的位置突出，并且与第三侧面相反侧的第四侧面从与第一侧面相反侧的第二侧面的位置突出，第一长方形基板沿着第一方向和与基板面内方向垂直的第二方向排列形成有多个第一半导体激光元件，第二长方形基板沿着第二方向排列形成有多个第二半导体激光元件。

根据本发明的第一方案的集成型半导体激光元件的制造方法，如上所述，按照具有第一侧面和第二侧面的第一半导体激光元件的第一侧面从形成具有第三侧面和第四侧面的第二半导体激光元件的第三侧面的位置突出的同时，与第三侧面相对的第四侧面从形成与第一侧面相对的第二侧面的位置突出的方式，分割第三长方形基板，由此在分割第三长方形基板的同时，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件所具有的各个侧面可以形成在沿着预定方向互相偏移的位置上接合的半导体激光元件。由此，由于不用除去晶片的不需要的部分，就可以在分割第三长方形基板之后形成半导体激光元件，因此可以提高效率。

此外，根据第一方案的集成型半导体激光元件的制造方法，包括将形成多个第一半导体激光元件的第一长方形基板和形成多个第二半导体激光元件的第二长方形基板接合起来形成第三长方形基板的工序。即，例如，在由第一半导体激光元件构成的晶片的表面上接合由第二半导体激光元件构成的晶片之后劈开晶片、并形成由第一长方形基板和第二长方形基板构成的第三长方形基板的情况下，对应劈开形成第一半导体激光元件的晶片的位置，可以只在形成第二半导体激光元件的晶片的端部形成第二半导体激光元件用的劈开导入用槽。由此，由于可以在共同所希望的位置劈开第一半导体激光元件侧的晶片和第二半导体激光元件侧的晶片，因此可以形成第一半导体激光元件的谐振器面和第二半导体激光元件的谐振器面处于同一面上的第三长方形基板。结果是，可以抑制各个半导体激光元件的谐振器面向谐振器方向偏移。此外，作为其他方法，即使在接合预先形成的在预定方向延伸的第一长方形基板和第二长方形基板而形成第三长方形基板的情况下，在第一长方形基板的表面上，与预先芯片化的多个第二半导体激光元件分别接合的情况等不同，相对于沿着预定方向延伸的第一长方形基板，可以沿着该方向接合第二长方形基板而形成第三长方形基板。即使在这种情况下，由于可以形成第一半导体激光元件的谐振器面和第二半导体激光元件的谐振器面处于同一面上的第三长方形基板，因此可以抑制各个激光元件上形成的谐振器面互相偏移。