[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法和光装置

权利要求书

1.一种集成型半导体激光元件的制造方法，其是接合了第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

通过接合形成有多个所述第一半导体激光元件的第一长方形基板和形成有多个所述第二半导体激光元件的第二长方形基板而形成第三长方形基板的工序；和

分割所述第三长方形基板，使得具有沿着谐振器延伸的第一方向延伸的第一侧面和第二侧面的所述第一半导体激光元件的所述第一侧面从形成具有沿着所述第一方向延伸的第三侧面和第四侧面的所述第二半导体激光元件的第三侧面的位置突出，并且与所述第三侧面相反侧的所述第四侧面从与所述第一侧面相反侧的所述第二侧面突出的工序，

所述第一长方形基板沿着所述第一方向和与所述基板面内方向垂直的第二方向排列形成有多个所述第一半导体激光元件，

所述第二长方形基板沿着所述第二方向排列形成有多个所述第二半导体激光元件。

2.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

所述形成第三长方形基板的工序包括：接合第一半导体激光元件基板与第二半导体激光元件基板的工序；和在接合了所述第一半导体激光元件基板与所述第二半导体激光元件基板的状态下，将所述第一半导体激光元件基板与所述第二半导体激光元件基板同时分割的工序。

3.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

所述集成型半导体激光元件中，所述第一半导体激光元件的第一表面和所述第二半导体激光元件接合，并且所述第一表面的第一突出区域从所述第二半导体激光元件露出，

所述集成型半导体激光元件的制造方法还包括在形成所述第三长方形基板的工序之前，在所述第一突出区域形成第一电极的工序，

在分割所述第三长方形基板的工序中，使所述第一电极从所述第二半导体激光元件露出。

4.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

所述第一长方形基板和所述第二长方形基板分别具有谐振器面，

所述集成型半导体激光元件的制造方法还包括在分割所述第三长方形基板的工序之前，在所述谐振器面上形成保护膜的工序。

5.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

该集成型半导体激光元件的制造方法还包括：

在分割所述第三长方形基板之前，

在所述第一长方形基板上形成用于形成所述第一侧面和所述第二侧面的第一分割槽的工序；和

在所述第二长方形基板的与接合有所述第一长方形基板的第二表面相反侧的表面上，形成用于形成所述第三侧面和所述第四侧面的第二分割槽的工序，

所述第二分割槽形成在从与所述第一分割槽相对的位置偏移的位置上。

6.根据权利要求2所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

该集成型半导体激光元件的制造方法还包括：

在接合所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板之前，

通过沿着所述第二方向以第一周期形成多个所述第一半导体激光元件，制作所述第一半导体激光元件基板的工序；

通过沿着所述第二方向以第二周期形成多个所述第二半导体激光元件，制作所述第二半导体激光元件基板的工序；和

为了接合所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板进行定位的工序，

在所述第一半导体激光元件基板的热膨胀系数比所述第二半导体激光元件基板的热膨胀系数小的情况下，在所述进行定位的工序的温度下的所述第一周期大于所述温度下的所述第二周期。

7.根据权利要求2所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于：

还包括为了接合所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板进行定位的工序，

所述制作第一半导体激光元件基板的工序包括在所述第一半导体激光元件基板上沿着第三方向以第三周期形成在所述进行定位的工序中使用的第一对准标记的工序，

制作所述第二半导体激光元件基板的工序包括在所述第二半导体激光元件基板上沿着第三方向以第四周期形成在所述进行定位的工序中使用的第二对准标记的工序，

在所述进行定位的工序的温度下的所述第三周期与所述温度下的所述第四周期相等。