[发明专利]一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片加工领域，尤其涉及一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法。

背景技术

对于需要采用厚金属层的芯片，比如DMOS产品有着应用于大电流与高电压场合的特点，而大电流与高电压又限制了在制作芯片时，需要溅射较厚的金属层例如金属铝层。

但是如果较厚的金属层如铝层覆盖在前层工艺步骤留下的光刻套准标记上时，可能会严重影响到对准标记的形貌，导致光刻机在溅射工序之后的光刻工序中产生对准困难甚至无法完成光刻。

传统半导体芯片加工工艺的解决方法包括，控制铝层的厚度或改善铝层的质量，或者在不改变铝层厚度和质量的前提下，增加前层工艺的介质厚度以便刻蚀出高度更高的对准标记。

现有的解决方法中，如果通过控制铝层厚度可以改善光刻对准效果的方案，可能会与提高产品电性参数相违背；如果通过改善铝层质量，可以改善套准标记表面的光学性质，但是对于很厚的铝层，套准标记轮廓不清晰，所以效果并不明显；如果通过增加前层介质层的厚度，以刻蚀出较高的套准标记，可以改善厚铝层的光刻对准效果，但这需改变前层工艺中介质层的厚度，过于厚的介质层可能并不是前层所需要的。上述传统的解决方法，不能有效地解决后续金属层的制作遮挡光刻套准标记的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种光刻套准标记的保护装置，用以解决现有技术中存在的后续的制作金属层的工艺遮挡住前层工艺步骤留下的光刻套准标记上，导致光刻机在光刻工序中产生对准困难的问题。

本发明实施例提供的一种光刻套准标记的保护装置，包括多个固定晶片的压块，其中，每个压块具有一个外伸至晶片上部的挡条，用以遮挡晶片上的光刻套准标记。

进一步地，所述压块中朝向晶片中心的一侧开有凹槽，所述凹槽的上下表面之间布置有竖向的圆杆和横向的所述挡条；

所述圆杆贯穿所述挡条以及凹槽的上下表面。

进一步地，所述圆杆贯穿所述挡条，包括：

所述挡条的一端开有第一通孔，所述圆杆贯穿所述第一通孔。

进一步地，所述圆杆贯穿凹槽的上下表面，包括：

所述凹槽的上表面有贯穿压块上表面和所述凹槽上表面的第二通孔，所述凹槽的下表面有一沉孔，所述圆杆穿过所述第二通孔并且其下端固定于所述沉孔中。

进一步地，所述挡条的宽度大于所述光刻套准标记的宽度。

进一步地，所述挡条的宽度为5-10mm。

进一步地，所述挡条采用铁质或铜质金属。

进一步地，该光刻套准标记的保护装置设置于金属溅射设备之中。

本发明实施例提供的使用本发明实施例提供的上述光刻套准标记的保护装置进行金属溅射的工艺方法，包括下述步骤：

在与压块固定的晶片平行的平面上，旋转所述压块上外伸的挡条，使所述挡条遮挡住所述晶片上前层工艺留下的光刻套准标记；

对所述晶片进行金属溅射操作，在所述晶片上所述挡条遮挡区域之外的区域溅射金属层。

本发明实施例的有益效果，包括：

本发明实施例提供的光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法，在固定晶片的压块上设置一个外伸至晶片上部的挡条，该挡条能够在金属溅射工艺过程中遮挡住晶片上的光刻套准标记，使得光刻套准标记的形貌清晰，在后续光刻工序中，能够准确地对准，保证了光刻工序的正常进行。

附图说明

图1为本发明实施例提供的光刻套准标记的保护装置结构示意图；

图2为本发明实施例提供的金属溅射设备中光刻套准标记的保护装置的俯视图；

图3为本发明实施例提供的光刻套准标记的保护装置中压块的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的金属溅射工艺方法的流程图；

图5为本发明实施例提供的经过金属溅射工艺步骤之后的晶片示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法的具体实施方式进行详细地说明。

本发明实施例提供的光刻套准标记的保护装置，如图1所示，包括多个用于固定晶片101的压块102，每个压块102都具有一个外伸至晶片101上部的挡条1021，该挡条1021用以遮挡晶片101上的光刻套准标记。

较佳地，该保护装置可设置于现有的金属溅射设备之中，由于光刻工序中的光刻套准标记通常会不少于三个，因此，本发明实施例提供的光刻套准标记的保护装置中，压块和挡条的数量最好不少于三个。