[发明专利]一种光刻套准标记的保护装置及金属溅射工艺方法有效
| 申请号： | 201010227314.7 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315141A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 标记 保护装置 金属 溅射 工艺 方法 | ||
1.一种光刻套准标记的保护装置，包括多个固定晶片的压块(102)，其特征在于，所述压块(102)具有一个外伸至晶片(101)上部的挡条(1021)，用以遮挡晶片(101)上的光刻套准标记。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压块(102)中朝向晶片中心的一侧开有凹槽(1022)，所述凹槽(1022)的上下表面之间布置有竖向的圆杆(1023)和横向的所述挡条(1021)；
所述圆杆(1023)贯穿所述挡条(1021)以及凹槽(1022)的上下表面。
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述圆杆(1023)贯穿所述挡条(1021)，包括：
所述挡条(1021)的一端开有第一通孔(1024)，所述圆杆(1023)贯穿所述第一通孔(1024)。
4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述圆杆(1023)贯穿凹槽(1022)的上下表面，包括：
所述凹槽(1022)的上表面有贯穿压块(102)上表面和所述凹槽(1022)上表面的第二通孔(1025)，所述凹槽(1022)的下表面有一沉孔(1026)，所述圆杆(1023)穿过所述第二通孔(1025)并且其下端固定于所述沉孔(1026)中。
5.如权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述挡条(1021)的宽度大于所述光刻套准标记的宽度。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述挡条(1021)的宽度为5-10mm。
7.如权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，所述挡条(1021)采用铁质或铜质金属。
8.如权利要求1-4任一项所述的装置，其特征在于，该光刻套准标记的保护装置设置于金属溅射设备之中。
9.一种使用如权利要求1所述的光刻套准标记的保护装置进行金属溅射的工艺方法，其特征在于，包括：
在与压块固定的晶片平行的平面上，旋转所述压块上外伸的挡条，使所述挡条遮挡住所述晶片上前层工艺留下的光刻套准标记；
对所述晶片进行金属溅射操作，在所述晶片上所述挡条遮挡区域之外的区域溅射金属层。
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