[发明专利]一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法有效
| 申请号： | 201010227180.9 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315123A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan hemt 刻蚀 重复性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：
增大ICP托盘内径尺寸；
提高ICP托盘高度；以及
将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。
2.根据权利要求1所述的提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，其特征在于，所述ICP托盘选用石英或蓝宝石材质制作而成。
3.根据权利要求1所述的提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，其特征在于，所述增大ICP托盘内径尺寸，是将ICP托盘内径由2时增大至4时，以降低刻蚀气体等离子体分布体积。
4.根据权利要求1所述的提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，其特征在于，所述提高ICP托盘高度，是将ICP托盘的高度由0.35时提高至400μm，以缩短刻蚀气体等离子体加速距离，同时消除GaN外延片厚度对刻蚀的影响。
5.根据权利要求1所述的提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，其特征在于，所述将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上，是通过在GaN外延片下粘附载片，防止等离子体湮没，同时缩短刻蚀气体等离子体加速距离。
6.根据权利要求5所述的提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，其特征在于，所述载片选用Si、SiO2或石英制作而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
