[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法无效
| 申请号： | 201010226112.0 | 申请日： | 2010-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102031561A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 野口仁 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B29/06;C23C14/08;C23C14/30;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 生长 基材 制造 方法 | ||
1.一种单晶金刚石生长用基材，是用于使单晶金刚石生长的基材，其特征在于，至少由单晶硅基板、在该单晶硅基板的使所述单晶金刚石生长的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜构成。
2.根据权利要求1所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述单晶硅基板的厚度为0.03mm～20.00mm。
3.根据权利要求1或2所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述MgO膜是在所述单晶硅基板上用溅射法或电子束蒸镀法异质外延生长的膜。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述MgO膜的厚度为～100μm。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜是在所述MgO膜上用溅射法异质外延生长的膜。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜的厚度为～100μm。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的单晶金刚石生长用基材，其特征在于，所述铱膜或铑膜的表面实施了偏压处理。
8.一种单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，至少具有以下工序：
准备单晶硅基板的工序，
在该准备的单晶硅基板上使MgO膜异质外延生长的工序，
在该异质外延生长的MgO膜上使铱膜或铑膜异质外延生长的工序，
在该异质外延生长的铱膜或铑膜上使单晶金刚石异质外延生长的工序，
将该异质外延生长的单晶金刚石分离，得到单晶金刚石基板的工序。
9.根据权利要求8所述的单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，在所述使单晶金刚石异质外延生长的工序之前，预先对使所述单晶金刚石异质外延生长的面实施偏压处理。
10.根据权利要求8或9所述的单晶金刚石基板的制造方法，其特征在于，在所述使单晶金刚石异质外延生长的工序中，通过微波化学气相沉积法或直流等离子体化学气相沉积法使单晶金刚石异质外延生长。
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