[发明专利]多孔硅胶硅表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物及其制备和应用有效

专利信息
申请号: 201010225662.0 申请日: 2010-07-13
公开(公告)号: CN101885814A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 曹学君;朱建良 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C08F292/00 分类号: C08F292/00;C08F220/56;C08F222/14;C08F2/44;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 20023*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 多孔 硅胶 表面 熊去氧 胆酸 分子 印迹 聚合物 及其 制备 应用
【权利要求书】:

1.一种多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物,其特征在于,所述多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物是在惰性溶剂中,在交联剂作用下,以熊去氧胆酸为模板分子,以丙烯酰胺为功能单体,在表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒和引发剂存在下或者在表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒存在下发生聚合反应得到聚合物后去除所述聚合物中的所述熊去氧胆酸而得。

2.根据权利要求1所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物,其特征在于,所述多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物具体通过以下过程制备而成:所述模板分子和所述功能单体首先在所述惰性溶剂中形成稳定的单体-模板复合物,然后加入所述交联剂,并加入所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒和所述引发剂,或者加入所述的表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒,在惰性气体保护下密封环境中进行聚合反应后获得所述聚合物,之后洗脱去除所述聚合物中的所述模板分子。

3.根据权利要求2所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物,其特征在于,所述惰性溶剂是丙酮,所述交联剂是乙二醇二甲基丙烯酸酯,所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒修饰的偶联剂是3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷,所述引发剂是4,4’-偶氮-(4-氰基戊酸),所述的表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒修饰的偶联剂是γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷。

4.根据权利要求2所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物,其特征在于,所述多孔硅胶颗粒为80~100目,孔径为8~12nm,所述模板分子、所述功能单体和所述交联剂的摩尔比为1∶4∶15,所述惰性气体是氮气,所述聚合反应在50-80℃振荡条件下进行。

5.一种根据权利要求1所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将偶联剂接枝到活化的多孔硅胶颗粒的表面获得所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒;

(2)在所述惰性溶剂中加入所述模板分子和所述功能单体,超声振荡后室温静置,形成稳定的单体-模板复合物,再加入所述交联剂、所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒和所述引发剂,通入惰性气体以除去氧气,密封环境中进行聚合反应获得所述聚合物;

(3)去除所述聚合物中的所述模板分子。

6.根据权利要求5所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,所述惰性溶剂是丙酮,所述交联剂是乙二醇二甲基丙烯酸酯,所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒修饰的偶联剂是3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷,所述引发剂是4,4’-偶氮-(4-氰基戊酸)。

7.根据权利要求5所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒的具体制备过程如下:以甲苯为溶剂,以三乙胺为催化剂,加入所述偶联剂与所述的活化的多孔硅胶颗粒,在惰性气体存在下进行反应得到所述的表面修饰有偶联剂的功能化多孔硅胶颗粒。

8.一种根据权利要求1所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将偶联剂接枝到活化的多孔硅胶颗粒的表面,再将引发剂与偶联剂连接,获得所述的表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒;

(2)在惰性溶剂中加入所述模板分子和所述功能单体,超声振荡后室温静置,形成稳定的单体-模板复合物,再加入所述交联剂和所述的表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒,通入惰性气体以除去氧气,密封环境中进行聚合反应获得所述聚合物;

(3)去除所述聚合物中的所述熊去氧胆酸。

9.根据权利要求8所述的多孔硅胶表面熊去氧胆酸分子印迹聚合物的制备方法,其特征在于,所述惰性溶剂是丙酮,所述交联剂是乙二醇二甲基丙烯酸酯,所述的表面通过偶联剂接枝有引发剂的功能化多孔硅胶颗粒修饰的偶联剂是γ-缩水甘油醚丙基三甲氧基硅烷,所述引发剂是4,4’-偶氮-(4-氰基戊酸)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010225662.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top