[发明专利]制造有机晶体管的方法有效
| 申请号: | 201010224583.8 | 申请日: | 2006-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN101872840A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 山口真弓;泉小波 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;B81B3/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 屠长存 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 有机 晶体管 方法 | ||
本分案申请是基于申请号为200610099772.0,申请日为2006年6月30日,发明名称为“微细结构、微机械、有机晶体管、电器及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种微细结构、一种具有该微细结构的微机械、一种具有该微细结构的有机晶体管、一种具有该有机晶体管的电器。此外,本发明涉及其制造方法。
背景技术
近年来,人们正在积极研究称为MEMS的微机械系统。MEMS是微型电机械系统的缩写名字,它有时被称为微机械。微机械一般对应于集成了“具有三维结构的可动微结构”和“具有半导体元件的电路”的微细器件。与半导体元件不同的是,前述的微结构具有三维结构和可动部分。
此外,建议了一种在一个衬底上同时形成在半导体衬底上形成的每种类型的器件(它是一种微机械器件)的技术(例如,参见专利文献1)。
〔专利文献1〕日本专利申请公开No.2002-355798
在这种微机械中,建议了一种使用薄膜的结构(例如,参见专利文献2)。
〔专利文献2〕日本专利申请公开No.2004-1201
如专利文献1所示,一般使用半导体衬底比如硅晶片形成微机械。
在专利文献1中,公开了其中微型泵及其驱动器电路安装在一个衬底上的实例。然而,没有公开其中微型泵和驱动器电路在一个步骤中形成在一个衬底上的实例。此外,在专利文献1中,公开了一种这样的结构:在一个衬底上整体地形成微型混合器等和被用作取样或其泵的隔膜泵。还公开了每种类型的器件可以同时容易地形成在一个衬底上,因为该结构可以在一个步骤中形成。然而,在专利文献1中,用于控制器件比如微型混合器的半导体元件不是在一个步骤中形成在一个衬底上。
在专利文献2中,提出了结晶的薄膜型微机械的结构。然而,没有对控制微机械的半导体器件进行描述,当然,也没有描述其中整体地形成半导体器件的器件。
发明内容
考虑到前述问题,本发明提供了一种具有框架形状的新颖结构的微细结构。此外,根据本发明,这种微细结构和控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在绝缘表面上。
此外,本发明的具有框架形状的微细结构具有较高的透光率。通过应用这种微细结构作为显示部分的开关元件,可以提供具有高孔径比的显示部分。
下文具体地描述本发明的结构。
本发明的一个实例是一种微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层是一对壁,第二层是与该壁交叉的桥。
本发明的另一个实例是一种微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层具有框架形状,第二层被形成为与该框架交叉,间隙(即空间)形成在第二层之下的框架里面。
本发明的另一个实例是一种微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层具有框架形状,第二层被形成为从一侧到与该侧相对的另一侧与该框架交叉,间隙形成在第二层之下的框架里面,第二层的下表面与框架的侧表面接触。
本发明的另一个实例是一种微机械,该微机械包括多个微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层是一对壁,第二层是与该壁交叉的桥。
本发明的另一个实例是一种微机械,该微机械包括多个微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层具有框架形状,第二层被形成为与该框架交叉,间隙形成在第二层之下的框架里面。
本发明的另一个实例是一种微机械,该微机械包括多个微细结构,该微细结构包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层具有框架形状,第二层被形成为从一侧到与该侧相对的另一侧与该框架交叉,间隙形成在第二层之下的框架里面,第二层的下表面与框架的侧表面接触。
本发明的另一个实例是一种微机械,该微机械包括多个微细结构,该微细结构包括形成绝缘表面上的导电层、第一层和第二层;其中第一层和第二层提供在导电层上,第一层具有框架形状,第二层被形成为与该框架交叉,间隙形成在第二层之下的框架里面。
本发明的一个实例是一种有机晶体管,该有机晶体管包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层,其中第一层是一对壁,第二层是与该对壁交叉的桥,有机半导体层形成在框架的里面和桥的下面。
本发明的另一个实例是一种有机晶体管,该有机晶体管包括形成在绝缘表面上的第一层和第二层和形成在第一层的下面的导电层;其中第一层具有框架形状,第二层被形成为与该框架交叉,间隙形成在第二层之下的框架里面,有机半导体层形成在该间隙中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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