[发明专利]制造有机晶体管的方法有效
| 申请号： | 201010224583.8 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101872840A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山口真弓;泉小波 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 有机 晶体管 方法 | ||
1.一种制造有机晶体管的方法，包括：
在绝缘表面上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成第一层；
蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；
在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；
通过蚀刻所述牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和
在该空间中形成有机半导体层。
2.根据权利要求1的制造有机晶体管的方法，其中第一层包含绝缘层并且通过干蚀刻进行蚀刻。
3.根据权利要求1的制造有机晶体管的方法，其中所述牺牲层包含导电层或绝缘层并且通过湿蚀刻进行蚀刻。
4.一种制造有机晶体管的方法，包括：
在绝缘表面上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成第一层；
蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；
在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；
对第二层进行构图以形成与所述牺牲层和所述一对侧壁结构交叉的矩形；
通过蚀刻所述牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和
在该空间中形成有机半导体层。
5.根据权利要求4的制造有机晶体管的方法，其中第一层包含绝缘层并且通过干蚀刻进行蚀刻。
6.根据权利要求4的制造有机晶体管的方法，其中所述牺牲层包含导电层或绝缘层并且通过湿蚀刻进行蚀刻。
7.一种制造有机晶体管的方法，包括：
在绝缘表面上形成导电层；
在所述导电层上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成第一层；
蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；
在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；
通过蚀刻所述牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和
在该空间中形成有机半导体层。
8.根据权利要求7的制造有机晶体管的方法，其中第一层包含绝缘层并且通过干蚀刻进行蚀刻。
9.根据权利要求7的制造有机晶体管的方法，其中所述牺牲层包含导电层或绝缘层并且通过湿蚀刻进行蚀刻。
10.一种制造有机晶体管的方法，包括：
在绝缘表面上形成导电层；
在所述导电层上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成第一层；
蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；
在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；
对第二层进行构图以形成与所述牺牲层和所述一对侧壁结构交叉的矩形；
通过蚀刻所述牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和
在该空间中形成有机半导体层。
11.根据权利要求10的制造有机晶体管的方法，其中第一层包含绝缘层并且通过干蚀刻进行蚀刻。
12.根据权利要求10的制造有机晶体管的方法，其中所述牺牲层包含导电层或绝缘层并且通过湿蚀刻进行蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
