[发明专利]高效大型多晶硅还原炉

权利要求书

1.一种高效大型多晶硅还原炉，它包括底盘和罩在所述底盘上的钟罩式炉筒，所述底盘上密集地设有多对电极、至少一个进气口和至少一个排气口，其特征在于所述电极的总对数为2n(n+1)对，其中，n为电极分布的层数，取正整数且n≥4，所述2n(n+1)对电极分为n层排列，每层按4对、8对、12对、...、4n对工整排列。

2.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述n层电极在底盘上按同心圆分层排布。

3.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述n层电极相邻两层之间间距相等。

4.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于同一层电极内相邻两个电极之间距离相等。

5.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述n层电极的电流分层独立控制。

6.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述分布在底盘上的电极总对数为40对，且分4层，按4对、8对、12对、16对工整排布。

7.根据权利要求6所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述相邻两层电极之间间距为200mm-350mm；同一层电极内相邻两个电极之间的距离为210mm-270mm。

8.根据权利要求6所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于分布在底盘上的进气口为29个，按1个、4个、8个、16个分4层均匀分布于所述四层电极所围成的空间内。

9.根据权利要求8所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述29个进气口分为9个和20个两组分别由两个控制阀独立控制来调节进气流量。

10.根据权利要求6所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述至少一个出气口位于底盘的正中心；最内层的1个进气口位于所述出气口内。

11.根据权利要求6所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述底盘直径尺寸为2700mm-2900mm。

12.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述分布在底盘上的电极总对数为60对，且分5层，按4对、8对、12对、16对、20对工整排布。

13.根据权利要求1所述的高效大型多晶硅还原炉，其特征在于所述分布在底盘上的电极总对数为84对，且分6层，按4对、8对、12对、16对、20对、24对工整排布。