[发明专利]一种在晶圆上淀积掺氟氧化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201010221786.1 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315116A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆上淀积掺氟 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一种在晶圆上淀积掺氟氧化硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在晶圆最上层金属连线层的上表面淀积氟含量为f1的第一层掺氟氧化硅；
在所述第一层掺氟氧化硅的上表面淀积氟含量为f2的第二层掺氟氧化硅，f2＜f1。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一层掺氟氧化硅的厚度大于层间金属连线的高度，厚度取值范围为4000～10000埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二层掺氟氧化硅的厚度为1000～3000埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述f1的取值范围为：
5.0～6.0％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述f2的取值范围为4.0～4.6％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀积氟含量为f1的第一层掺氟氧化硅的方法为：使用等离子化学气相沉积，压力控制在1～2托，高频功率为800～1500W，低频功率500～1000W，反应气体：氮气流量3000～4000sccm，SiH4200～300sccm，SiF4500～800sccm，N2O 10000～15000sccm，反应时间为50～70秒。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述淀积氟含量为f2的第二层掺氟氧化硅的方法为：使用等离子化学气相沉积，压力控制在1～2托，高频功率为800～1500W，低频功率500～1000W，反应气体：氮气流量4000～5000sccm，硅烷SiH4500～700sccm，四氟化硅SiF41000～2000sccm，一氧化二氮N2O10000～15000sccm，反应时间为50～70秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
