[发明专利]一种恒流驱动芯片上电复位电路

权利要求书

1.一种恒流驱动芯片上电复位电路，其特征在于，包括：电源跟随控制模块、施密特触发模块和反相模块；所述电源跟随控制模块，用于在电源电压VDD波动时，控制所述施密特触发模块的触发端电压跟随电源电压VDD变化；所述施密特触发模块，用于根据所述触发端电压输出上电复位信号；所述反相模块，用于将所述上电复位信号反相输出。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电源跟随控制模块包括第一NMOS管和第一镜像电路，第一PMOS管和第二镜像电路，所述第一NMOS管的漏极与恒流源Vbias连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第一镜像电路的漏极连接；所述第一镜像电路用于形成所述第一NMOS管的镜像电流，所述第二镜像电路用于形成第一PMOS管的镜像电流；还包括一电容，所述第二镜像电路的漏极分别与所述电容的一端、所述施密特触发模块的触发端连接，所述电容另外一端接地。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电容由至少一个N型MOS管等效形成。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述电容由至少两个N型MOS管并联形成。

5.根据权利要求3或4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一镜像电路为一N型MOS管，或由至少两个N型MOS管并联形成。

6.根据权利要求3或4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第二镜像电路为一P型MOS管，或由至少两个P型MOS管并联形成。

7.根据权利要求3或4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一镜像电路为一N型MOS管，所述第二镜像电路为一P型MOS管，或由至少两个P型MOS管并联形成。

8.根据权利要求3或4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一镜像电路由至少两个N型MOS管并联形成，所述第二镜像电路为一P型MOS管，或由至少两个P型MOS管并联形成。

9.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述施密特触发模块包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第三PMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管依次串联，所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极连接电源电压，所述第三NMOS管的源极接地，所述第四PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极连接电源电压，所述第四NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极。

10.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述反相模块包括串联的第五PMOS管和第五NMOS管。