[发明专利]高频晶体管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高频晶体管的制造方法，尤其涉及高频晶体管制造方法中形成有效发射区的方法。

背景技术

在制作多晶发射结高频晶体管时，在形成多晶发射区的常规工艺中，现有技术是在刻蚀好的发射区上淀积一层多晶硅(poly)，然后用砷注入方法形成发射区，典型的多晶发射结高频晶体管的结构见附图1(图中F代表发射极电极，J代表基极电极，K代表集电极电极)。

发明内容

为了降低工艺制造的难度，改进高频晶体管的性能，本发明需要解决的技术问题是提供了一种高频晶体管的制造方法。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下步骤实现的：

在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；

在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。

附图说明

图1是通常的多晶发射结结构图。

图2是本发明中发射区砷注入前步骤的示意图；

图3是本发明中发射区砷注入步骤的示意图；

图4是本发明中多晶淀积步骤的示意图；

图5是本发明中多晶延伸发射区第二次砷注入示意图。

图6是本发明中光刻和刻蚀多晶区后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述：

本发明在淀积多晶硅之前先进行一次As注入，形成超浅结发射区，然后淀积多晶硅，再进行第二次As注入，形成多晶扩展发射区，通过增加一次注入的方法，分别形成超浅结发射区和扩展发射区，降低了工艺制造的难度，改进了高频晶体管的性能。

在多晶发射结常规制造过程中，为了形成有效的发射区长度，通常需要淀积一层1500-3000A的多晶层，相对应的AS注入能量需要160keV以上，才能穿透多晶层到达硅界面。本发明通过先注入一次小于100KeV低能量的AS，形成超浅结的发射结，在淀积多晶硅后再进行一次低能量注入As的方法形成扩展发射区，给多晶发射结高频晶体管的制作增加了一种新方法。这种方法的主要优点是降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。

通常的多晶发射结制造工艺流程中发射区进行砷注入，多晶硅厚度通常为1500-3000A，采用一次砷注入工艺注入能量必须大于160keV，才能形成有效发射结。

本发明在淀积多晶硅前，采用带胶注入的方法进行第一次砷注入，注入能量为60-100keV，形成小于600A的超浅结发射区，然后再淀积1000-2000A的多晶层，再用100-120keV的能量进行砷注入，高浓度的多晶延伸发射区与第一次As注入形成的超浅结发射结区共同形成有效发射区，通过退火等后道工艺处理形成多晶发射结高频晶体管。制作流程参见附图2-6。