[发明专利]高频晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201010217830.1 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102315121A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 叶丹阳 | 申请（专利权）人： | 上海镭芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：
步骤1、在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；
步骤2、在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区。
2.根据权利要求1所述的高频晶体管的制造方法，其中在步骤1中：砷注入能量为60-100keV，形成小于600A的超浅结发射区；步骤2中：淀积多晶硅厚度在1000-2000A之间，砷注入能量为100-120keV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
