[发明专利]一种抑制乙烯裂解装置结焦的复合方法

权利要求书

1.一种抑制乙烯高温裂解结焦的复合方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)在烃类裂解装置清焦操作完毕后，在1～3个大气压下，将裂解设备预热至600℃～1000℃温度，通入水蒸气，将含有Si和S的化合物作为预处理剂通过载气加入到乙烯裂解炉管进行预处理，其中Si和S摩尔比为(10∶1)～(1∶10)，预处理剂在水蒸气中的浓度为10～5000ppm，乙烯裂解装置与预处理剂高温气体接触，发生反应，在裂解管内表面沉积出含SiO₂和S的复合涂层，涂层处理时间为1～8小时，涂层厚度为5～20μm；

其中，含Si和S的化合物分别选自：一种或多种的Si和S的化合物，或含Si化合物和含S硫化合物的混合物；

(2)涂层沉积完毕后，在乙烯高温裂解过程中，同时加入一种含Si、S、P的结焦抑制剂来抑制炉管结焦，其中，抑制剂中的Si∶S∶P的原子比为(20～10)∶(10～5)∶(2～1)，抑制剂的加入量为20～1000ppm，优选在50～300ppm。

2.如权利要求1所述的一种抑制乙烯高温裂解结焦的复合方法，其特征在于，所述的预处理剂中含Si的化合物选自：硅烷、氯硅烷、四甲基硅烷，四乙基硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、四乙氧基硅烷、六甲基二硅氧烷中的一种；预处理剂中含S化合物选自羰基硫、硫化氢、二甲基二硫、甲硫醇、二甲基硫、次亚硫酸钠、噻吩中的一种。

3.如权利要求1所述的一种抑制乙烯高温裂解结焦的复合方法，其特征在于，所述的含Si的焦抑制剂为选自氯硅烷、四甲基硅烷、四乙基硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、四乙氧基硅烷、六甲基二硅氧烷中的一种，含S焦抑制剂为选自的羰基硫、硫化氢、二甲基二硫、甲硫醇、二甲基硫、次亚硫酸钠、噻吩、二甲基二硫化物、硫脲中的一种，含P焦抑制剂为选自磷酸三乙酯、亚磷酸三乙酯、磷酸三苯酯、六偏磷酸钠、α-羟基膦乙酸、o，o-二甲基硫代磷酸酯中的一种。