[发明专利]纳米晶复合NdFeB永磁合金晶化的热处理工艺无效
申请号: | 201010215783.7 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN101892376A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 谭晓华;徐晖;唐永军;范海平;侯金超;满华;龙门 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C21D9/56 | 分类号: | C21D9/56;C21D1/04;C21D1/26 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 复合 ndfeb 永磁 合金 热处理 工艺 | ||
1.一种纳米晶复合NdFeB永磁合金晶化的热处理工艺,其特征在于具有以下的工艺步骤:
(1)将钕铁硼合金的快淬薄带在热处理炉中进行常规晶化退火,在640~750℃的温度范围内,以640℃为起始温度,每增加30℃选一个温度,共选4个温度;通过对每个温度退火后的样品测量磁性能和X射线衍射分析,确定钕铁硼合金快淬薄带的晶化温度;
(2)将钕铁硼合金的快淬薄带放入真空热处理炉中进行脉冲磁场退火处理,真空退火炉是平行磁场方向放入脉冲磁场线圈中,其中薄带辊面方向和磁场方向平行,抽取炉内空气直到真空度达到3×10-3~5×10-3Pa时开始升温,升温至640~750℃后保温,退火保温时间为20~40min,保温到退火保温时间的一半时开始进行脉冲磁场充磁直到降温空冷5~10min后停止,充磁的脉冲磁场频率为0.01~0.10Hz,充磁时间为15~35min,磁场强度为2~8T。
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