[发明专利]半导体组件、半导体元件及其制法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一半导体基材；

一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及

一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域，其中该凸块结构包括一铜层与位于该铜层之上的一锡银合金层，且该锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该锡银合金层中的银含量大于1.2重量百分比。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该锡银合金层中的银含量大于1.5重量百分比。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该铜层为厚度大于40微米的一铜柱。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该铜层的厚度小于10微米。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一镍层介于该铜层与该锡银合金层之间。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一导通孔穿过该半导体基材且电性连接该焊盘区域，其中该导通孔包括铜。

8.一种半导体组件，包括：

一第一基材；

一第二基材；以及

一接合结构，设置于该第一基材与该第二基材之间；

其中该接合结构包括介于该第一基材与该第二基材之间的一凸块结构，与介于该凸块结构与该第二基材之间的一焊料层；以及

其中该焊料层包括银，且该焊料层中的银含量小于3.0重量百分比。

9.如权利要求8所述的半导体组件，其中该凸块结构包括厚度大于40微米的一铜柱。

10.如权利要求8所述的半导体组件，其中该凸块结构包括一铜层以及一含镍层位于该铜层之上。

11.如权利要求8所述的半导体组件，其中该凸块结构包括厚度小于10微米的一铜层。

12.如权利要求8所述的半导体组件，其中该第一基材与该第二基材至少之一为一半导体基材，且该半导体基材包括一导通孔穿过该半导体基材且电性连接该凸块结构。

13.一种半导体元件的制法，包括以下步骤：

提供一半导体基材；

形成一焊盘区域位于该半导体基材之上；

形成一铜柱位于该焊盘区域之上；

形成一无铅焊料层位于该铜柱之上，其中该无铅焊料层包括银，且银含量小于1.6重量百分比；以及

于温度240℃-280℃之间回焊该无铅焊料层。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制法，其中该无铅焊料层的银含量大于1.2重量百分比。