[发明专利]通过低温实现选择性的方法有效
| 申请号： | 201010212081.3 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101882572A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 低温 实现 选择性 方法 | ||
1.一种通过低温实现选择性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成介质层；
光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区；和
采用化学气相淀积CVD在不通入HCl气体的低温条件下在所述外延区中形成含Ge材料层。
2.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述含Ge材料层包括Ge层或SiGe层。
3.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述CVD为超高真空化学气相淀积UHVCVD，所述UHVCVD的外延温度为200℃-350℃。
4.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述CVD为低温减压化学气相淀积RPCVD，所述RPCVD的外延温度为300℃-500℃。
5.如权利要求3或4所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述超高真空化学气相淀积UHVCVD的气源为锗烷GeH4，或硅烷SiH4和锗烷GeH4的混合气体。
6.如权利要求5所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述气源为锗烷GeH4时，其流量为1sccm-8sccm。
7.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述衬底包括：
Si衬底；
或者，Si层和在Si层上生长的低Ge组分的SiGe层。
8.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述外延区的深宽比至少大于1。
9.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，在形成一个或多个外延区之后，还包括：
对所述外延区内裸露的衬底进行清洗及高温活化处理。
10.如权利要求9所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述对外延区内裸露的衬底进行高温活化处理包括：
进行700-1100℃的高温烘烤2-30min；和
降温至外延温度并稳定。
11.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，所述衬底的表面为<100>晶向或<110>晶向。
12.如权利要求1所述的通过低温实现选择性的方法，其特征在于，还包括：
在所述介质层上覆盖一层或多层选择材料层以提高选择性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
