[发明专利]发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统

说明书

技术领域

本申请要求在2009年6月10日提交的韩国专利申请No.10-2009-0051249的优先权，其通过引用被整体包含在此。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而已经被广泛地用作诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)这样的发光装置的主要材料。一般，III-V族氮化物半导体包括具有构成分子式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是半导体器件，其通过下述方式来发送/接收信号：通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外线或光。LED也被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或者LD主要用于发光装置，以提供光。例如，LED或者LD被用作诸如蜂窝电话的小键盘发光部分、电子招牌和发光装置这样的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供了具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统。

实施例提供了发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过在已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。

根据实施例，发光装置包括：导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

发光装置封装包括：封装体；在封装体上的第一和第二电极层；发光装置，其被安装在封装体上，并且电连接到第一电极层和第二电极层；以及，围绕所述发光装置的模制件。发光装置包括：导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

根据实施例，光照系统包括衬底和在衬底上安装的发光装置。发光装置包括：导电支撑件；发光结构层，其包括在导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，在发光结构层上的电极。导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

根据实施例，用于制造发光装置的方法包括：形成发光结构层，发光结构层包括在生长衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；并且，选择性地在发光结构层上形成保护层；在发光结构层和保护层上形成导电支撑件；从发光结构层去除生长衬底；通过相对于发光结构层执行隔离蚀刻形成芯片边界区域，使得发光结构层被划分为多个芯片单元；通过相对于芯片边界区域执行激光划片处理、同时穿过所述导电支撑件来形成分离段，通过该分离段，导电支撑件被划分为多个分离的部分；相对于分离段执行蚀刻处理；并且，通过断开导电支撑件来以芯片为单位划分发光结构层和导电支撑件。

实施例可以提供具有新颖结构的发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统。

实施例可以提供发光装置、其制造方法、发光装置封装和光照系统，它们能够通过在已经执行了激光划片处理后执行蚀刻处理来改善生产率。

附图说明

图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图；

图12是示出根据实施例的、包括发光装置的发光装置封装的视图；

图13是示出根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的背光单元的视图；以及

图14是根据实施例的、包括发光装置或者发光装置封装的光照系统。

具体实施方式

以下，将查看附图说明实施例。在实施例的说明中，将参考附图说明术语“在每层上”或者“在每层下”的概念。同时，可以明白，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为在另一个衬底、另一层(或者膜)、另一个区域、另一个垫或者另一个图案“上”或者“下”，则其可以“直接地”或者“间接地”在所述另一个衬底、层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”，或者也可以存在一个或多个插入层。已经参考附图描述了所述层的这样的位置。

图1-11是示出根据实施例的发光装置及其制造方法的剖面图。

参见图1，发光结构层135形成在生长衬底101上。发光结构层135包括第一导电半导体层110、在第一导电半导体层110上的有源层120和在有源层120上的第二导电半导体层130。

生长衬底101可以包括蓝宝石(Al₂O₃)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP或者GaAs之一。缓冲层和/或无掺杂的半导体层可以形成在生长衬底101上。