[发明专利]发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

导电支撑件；

发光结构层，其包括在所述导电支撑件上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及，

在所述发光结构层上的电极，

其中，所述导电支撑件具有向内凹进的弯曲侧表面。

2.根据权利要求1的发光装置，还包括在所述导电支撑件和所述发光结构层之间的保护层，其中，所述保护层的一部分向上暴露。

3.根据权利要求2的发光装置，其中，所述导电支撑件的侧表面与所述保护层垂直地重叠。

4.根据权利要求1的发光装置，还包括在所述导电支撑件和所述发光结构层之间的接触层。

5.根据权利要求4的发光装置，其中，所述接触层包括铝(Al)、银(Ag)、钯(Pd)、铑(Rh)、铂(Pt)或其合金的至少一个。

6.根据权利要求1的发光装置，其中，所述导电支撑件包括(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钼(Mo)或载体晶片之一。

7.根据权利要求1的发光装置，其中，所述导电支撑件具有在10微米到500微米的范围内的厚度。

8.一种发光装置封装，包括：

封装体；

在所述封装体上的第一和第二电极层；

根据权利要求1到7的任何一个的发光装置，其被安装在所述封装体上，并且电连接到第一电极层和第二电极层；和

围绕所述发光装置的模制件。

9.一种光照系统，包括：

衬底；和

在所述衬底上的根据权利要求1到7的任何一个的发光装置。

10.一种用于制造发光装置的方法，包括：

形成发光结构层，所述发光结构层包括在生长衬底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

选择性地在所述发光结构层上形成保护层；

在所述发光结构层和所述保护层上形成导电支撑件；

从所述发光结构层去除所述生长衬底；

通过相对于所述发光结构层执行隔离蚀刻形成芯片边界区域，使得所述发光结构层被划分为多个芯片单元；

通过相对于所述芯片边界区域执行激光划片处理、同时穿过所述导电支撑件来形成分离段，通过所述分离段，所述导电支撑件被划分为多个分离的部分；

相对于所述分离段执行蚀刻处理；以及

通过断开所述导电支撑件来以芯片为单位划分所述发光结构层和所述导电支撑件。

11.根据权利要求10的方法，其中，所述蚀刻处理包括湿蚀刻处理。

12.根据权利要求10的方法，还包括：在相对于所述分离段执行所述蚀刻处理之前，在所述导电支撑件之下形成支撑层。

13.根据权利要求10的方法，还包括：在形成所述导电支撑件之前，在所述发光结构层上形成接触层。

14.根据权利要求10的方法，其中，所述导电支撑件包括Cu、Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、Mo或者载体晶片之一。

15.根据权利要求10的方法，其中，所述导电支撑件具有在10微米到500微米的范围内的厚度。