[发明专利]使用低K电介质的集成电路系统及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路系统的方法，该方法包括：

制造具有集成电路的基板；

在所述集成电路上提供低K电介质层；

在所述集成电路上的所述低K电介质层中形成通孔与沟槽；

通过化学机械平坦化工艺形成结构表面；以及

提供直接注入物至所述结构表面，用于形成注入物层以及金属钝化层，包含修复由所述化学机械平坦化工艺造成对所述低K电介质层的破坏。

2.根据权利要求1所述的制造集成电路系统的方法，进一步包括在所述结构表面上形成电介质覆盖层。

3.根据权利要求1所述的制造集成电路系统的方法，进一步包括在所述低K电介质层中沉积互连金属，用于形成所述通孔与所述沟槽。

4.根据权利要求1所述的制造集成电路系统的方法，其中形成所述通孔与所述沟槽包含在所述低K电介质层中的开口上沉积扩散障碍层。

5.根据权利要求1所述的制造集成电路系统的方法，其中通过注入掺质而提供所述直接注入物至所述表面结构，用于物理性与化学性改变所述注入物层与所述金属钝化层。

6.一种集成电路系统，包括：

具有集成电路的基板；

低K电介质层用于所述集成电路上；

所述集成电路上的通孔与沟槽；

在所述通孔、所述沟槽与所述低K电介质层上通过化学机械平坦化工艺所形成的结构表面；以及

通过直接注入物经过所述结构表面所形成的注入物层与金属钝化层。

7.根据权利要求6所述的集成电路系统，进一步包括在所述结构表面上的电介质覆盖层。

8.根据权利要求6所述的集成电路系统，进一步包括在所述低K电介质层中沉积的互连金属用于所述通孔与沟槽。

9.根据权利要求6所述的集成电路系统，其中在所述低K电介质层中形成的所述通孔与所述沟槽包含在所述低K电介质层中开口上的扩散障碍层。

10.根据权利要求6所述的集成电路系统，其中通过所述直接注入物经过所述结构表面所形成的所述注入物层与所述金属钝化层包含掺质，所述掺质被注入用于物理性与化学性改变所述注入物层与所述金属钝化层。