[发明专利]发光器件和发光器件封装

说明书

技术领域

本文公开了一种发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光器件是已知的。然而，它们具有多种缺点。

发明内容

本发明的一个实施方案涉及一种发光器件，包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。

本发明的另一个实施方案涉及一种发光器件封装，其包括发光器件，所述发光器件包括：发光结构，其包括第一导电型半导体层，置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；置于所述发光结构上的第一电极，所述第一电极包括图案；和置于所述第一电极上的垫电极。

附图说明

将参考以下附图详细描述实施方案，其中相同附图标记表示相同元件，其中：

图1是根据一个实施方案的发光器件的剖面图；

图2是根据一个实施方案的发光器件的平面图和局部放大图；

图3是说明根据一个实施方案的发光器件的光提取效率的图表；

图4至7是说明制造根据一个实施方案的发光器件的方法的剖面图；

图8是根据另一个实施方案的发光器件的平面图和局部放大图；和

图9是根据实施方案的发光器件封装的剖面图。

具体实施方式

以下，将参考附图描述根据实施方案的发光器件。可能的话，相同附图标记表示相同元件。

在以下的描述中，应理解，当层(或膜)称为在另一层或衬底“上/上方”时，其可以直接在所述另一层或衬底“上/上方”，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当层称为在另一层“下/下方”时，其可以直接在所述另一层“下/下方”，或者可以存在一个或更多个中间层。此外，当层称为在两层“之间”时，其可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。

图1是根据一个实施方案的发光器件的剖面图；图2是根据一个实施方案的发光器件的平面图和局部放大图。根据一个实施方案的发光器件100可包括发光结构110、第一电极130和垫电极140。发光结构110可包括第一导电型半导体层112、有源层114和第二导电型半导体层116。第一电极130可包括在发光结构上形成的图案H。垫电极140可在第一电极130上形成。

第一电极130可包括第一欧姆层132，第一欧姆层132可包括透明欧姆层；不过，实施方案不限于此。第一欧姆层可包括透明欧姆层并且可具有约20nm以下的厚度；不过，实施方案不限于此。第一欧姆层132可由例如铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、金(Au)和钛(Ti)中的至少一种形成。

在该实施方案中，第一电极130可具有如下结构：其中电极金属可利用例如干蚀刻或湿蚀刻方法沉积在发光结构110的整个区域上以形成周期性或非周期性的图案。根据一个实施方案，由于在平面金属层中的周期性或非周期性的图案，第一电极130可同时用作光提取结构。

根据一个实施方案，由于第一电极130可均匀分布在发光结构110的整个区域的上端，所以光可以均匀地从发光层(有源层)上发出。结果可改善高功率LED的可靠性。

在相关技术中，n型电极可仅用作反射镜。然而，在该实施方案中，第一电极130可另外执行如下功能：其中部分光通过金属/介电层(填充图案的材料的一个例子)边界的图案H提取到外部。

而且，根据一个实施方案，与在一般电介质的边界上形成的图案相比，在金属/介电层边界上形成的图案H可具有好的光提取特性。这是由于光提取效率可与其间具有边界的两种材料之间的折射率差成比例。

图3是说明根据一个实施方案的发光器件的光提取效率的图表。例如，图3说明当约400nm的图案在金属/电介质的边界上形成时，根据电介质的折射率和图案高度h的光提取效率的变化。虚线表示当未形成图案时的光提取效率。

当通过电磁学方程式计算由于在第一电极130的金属和电介质之间边界上形成的图案所引起的光提取效率时，很显然与现有的光提取效率(例如约18％)相比，光提取效率显著提高。更具体地说，根据外部电介质的折射率使光提取效率最大化时的图案高度可以改变。

在根据一个实施方案的发光器件和发光器件封装中，由于第一电极可包括在平面金属层中的预定图案，因此电流易于扩散，同时可改善光提取效率。并且，根据一个实施方案，由于第一电极可包括在引线接合垫位置之外的剩余区域中的薄透明金属，所以可以满足操作电压特性，同时可提高光量。