[发明专利]发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；

置于所述发光结构上的第一电极，其中所述第一电极包括暴露出所述发光结构的上表面的图案和未暴露出所述发光结构的上表面的剩余部分；和

置于所述第一电极的所述剩余部分上的垫电极，

置于所述发光结构之下的第二电极，

其中所述第一导电型半导体层的上表面通过所述第一电极的图案暴露出，

其中所述发光器件包括发光二极管，

其中所述第二电极包括：在所述发光结构下第二欧姆层、在所述第二欧姆层下的第二反射层、以及在所述第二反射层下的导电衬底，

其中所述第二反射层与所述第一电极的图案垂直地交叠，

其中限定所述垫电极的区域的所述第一电极具有更宽的面积以对应所述垫电极，以及其中所述第一电极包括在除所述垫电极的所述区域之外的剩余区域中的薄透明金属，

其中所述垫电极包括在其底表面上的反射层、在所述反射层上的耦合层、以及在所述耦合层上的接合层，

其中所述第一电极包括第一欧姆层而不包括反射层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案在所述第一电极中形成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案具有恒定周期，其中所述第一电极的图案具有100nm至5000nm的周期。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中未暴露出所述发光结构的上表面的所述剩余部分的面积大于暴露出所述发光结构的上表面的所述图案的面积，

其中所述垫电极的横向宽度对应于所述剩余部分的横向宽度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括透明第一欧姆层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述透明第一欧姆层具有20nm以下的厚度。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一欧姆层由铬、铂、镍、金或钛中的至少一种形成。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述导电衬底包括钛、铬、镍、铝、铂、金、钨、铜、Cu合金、Si、钼、SiGe、Ge、Ga₂O₃或GaN中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二欧姆层包括ITO、ZnO、In-ZnO、Ga-ZnO、Al-ZnO、Al-Ga ZnO、In-Ga ZnO、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au、或Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述图案包括三角形晶格、正方形晶格、阿基米德晶格或准晶体。

11.一种发光器件封装，包括发光器件，

所述发光器件包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、置于所述第一导电型半导体层上的有源层和置于所述有源层上的第二导电型半导体层；

置于所述发光结构上的第一电极，其中所述第一电极包括暴露出所述发光结构的上表面的图案和未暴露出所述发光结构的上表面的剩余部分；和

置于所述第一电极的所述剩余部分上的垫电极，

置于所述发光结构之下的第二电极，

其中所述第一导电型半导体层的上表面通过所述第一电极的图案暴露出，

其中所述发光器件包括发光二极管，并且

其中所述第二电极包括：在所述发光结构下第二欧姆层、在所述第二欧姆层下的第二反射层、以及在所述第二反射层下的导电衬底，并且

其中所述第二反射层与所述第一电极的图案垂直地交叠，

其中限定所述垫电极的区域的所述第一电极具有更宽的面积以对应所述垫电极，以及其中所述第一电极包括在除所述垫电极的所述区域之外的剩余区域中的薄透明金属，

其中所述垫电极包括在其底表面上的反射层、在所述反射层上的耦合层、以及在所述耦合层上的接合层，

其中所述第一电极包括第一欧姆层而不包括反射层。