[发明专利]半导体背面用切割带集成膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度等的目的。此外，本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装芯片安装的半导体器件。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将芯片形工件例如半导体芯片安装(倒装芯片接合)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片接合中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，例如，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

发明内容

然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。此外，由于薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。因此，期望在拾取步骤前增强半导体晶片或半导体芯片。

考虑到前述问题，本发明的目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。

此外，本发明的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体元件的倒装芯片连接步骤后显示出优良的标识性和优良的外观性。

为了解决前述的相关技术问题，本发明人进行了广泛深入的研究。结果，已发现，当将倒装芯片型半导体背面用膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜，并且倒装芯片型半导体背面用膜是由以特定比例含有热塑性树脂组分的树脂组合物形成时，从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片连接步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，在半导体元件的倒装芯片连接步骤后能够显示出优良的标识性和优良的外观性，使得完成本发明。

即，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和

倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，

其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

如上所述，本发明的半导体背面用切割带集成膜是以其中倒装芯片型半导体背面用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。因此，在切割工件(半导体晶片)时，通过将半导体背面用切割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)上，在保持所述工件时将其有效地切割。此外，在切割工件以形成芯片形工件(半导体元件)后，能够将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起容易地从具有优良的拾取性的切割带的压敏粘合剂层剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，能够有效地提高芯片形工件背面的标识性和外观性等。