[发明专利]使用独立读出放大器电压的存储器读取方法有效
| 申请号： | 201010203849.0 | 申请日： | 2010-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102163450A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨振麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 孙征;陆鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 独立 读出 放大器 电压 存储器 读取 方法 | ||
1.一种存储器，包括：
数据线；
存储单元，连接至所述数据线；
读出放大器，连接至所述数据线；
电源节点，具有提供至所述读出放大器的第一电压；以及
电荷泵电路，连接至所述读出放大器，并且被设置成当从所述存储单元进行读取操作时向所述读出放大器提供第二电压。
2.根据权利要求1所述的存储器，其中，通过脉冲信号控制所述电荷泵电路，所述脉冲信号为字线信号；或者。
其中，当所述读取操作为读取逻辑0时，所述电荷泵电路提供所述第二电压；或者
其中，所述电荷泵电路连接至所述读出放大器的输入。
3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述读出放大器为反相器或NAND门；或者
所述读出放大器连接至下拉NMOS晶体管，用于非同步输出复位。。
4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述电荷泵电路包括可调延迟器、PMOS晶体管以及电容器，所述可调延迟器被设置成使所述第二电压和所述读出操作同步，所述PMOS晶体管在进行所述读取操作之前使所述电容器被充电；或者
其中，所述电荷泵电路包括反相器、PMOS晶体管和电容器，所述反相器使所述PMOS晶体管读取逻辑0，所述PMOS晶体管在所述读取操作之前使所述电容器被充电，其中，所述反相器的输入连接至所述读出放大器的输入。
5.一种用于提高存储器读出的方法，包括：
从电源向连接至所述存储器的数据线的读出放大器提供第一电压；以及
当从所述存储器进行读取操作时，从电荷泵电路向所述读出放大器提供第二电压。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括通过脉冲信号控制所述电荷泵电路，其中，所述脉冲信号为字线信号；或者
其中，当所述读取操作为读取逻辑0时，所述电荷泵电路提供所述第二电压；或者
其中，所述电荷泵电路连接至所述读出放大器的输入。
7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括使下拉NMOS晶体管连接至所述读出放大器，用于非同步输出复位。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电荷泵电路包括可调延迟器、PMOS晶体管以及电容器，所述可调延迟器被设置成使所述第二电压和所述读出操作同步，所述PMOS晶体管在进行所述读取操作之前使所述电容器被充电；或者
所述电荷泵电路包括反相器、PMOS晶体管和电容器，所述反相器使所述PMOS晶体管读取逻辑0，所述PMOS晶体管在所述读取操作之前使所述电容器被充电。
9.一种存储器，包括：
数据线；
存储单元，连接至所述数据线；
读出放大器，连接至所述数据线；
电源节点，具有提供至所述读出放大器的第一电压；以及
电荷泵电路，连接至所述读出放大器，并且被设置成当进行读取操作时向所述读出放大器提供第二电压，其中，脉冲信号控制所述电荷泵电路，所述电荷泵电路包括反相器、PMOS晶体管和电容器，所述反相器使所述PMOS晶体管进行读取操作，所述PMOS晶体管在所述读取操作之前使所述电容器被充电。
10.根据权利要求9所述的存储器，其中，当所述读取操作为读取逻辑0时，所述电荷泵电路提供所述第二电压。
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