[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201010202435.6 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN101908534A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 叶文勇;颜玺轩;陈泽澎 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光装置,且特别是涉及一种具有桥式整流器电路的发光装置。
背景技术
由于制造技术的进步,发光二极管(Light emitting diode,LED)已被广泛使用在固态照明产品中。依据LED的物理特征,大部分建议提供低电压及直流电给LED。因此,每当只能取得高电压交流电时,LED就得提供有降压变压器与AC至DC转换器(AC-to-DC converter)。然而,变压器与转换器通常占据大容积,且对使用者而言显得太重以至于使用者无法携带其在身边。此外,当交流电被转换成直流电时,其总是伴随着能量浪费的问题。因此,对于制造商而言,提供具有较高效率的LED相关的产品是相当重要的。
发明内容
本发明涉及一种具有桥式整流器电路的发光装置。
根据本发明的实施例,提出一种发光装置,此发光装置包含:基板;多个粘着层,配置于基板上;以及多个微型二极管,配置于基板上,微型二极管互相电连接以构成桥式整流器电路并经由粘着层接合至基板,其中微型二极管包含:至少一微型发光二极管,其配置于桥式整流器电路的中间分支上,以及多个肖特基(Schottky Barrier)二极管,其配置于桥式整流器电路的其他分支上,并埋入基板中。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合附图,作详细说明如下。
附图说明
图1A为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图1B为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图2为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图3为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图4A与图4B为依据本发明的AC/DC发光装置的等效电路图。
图5至图9为依据本发明的其他实施例的具有更复杂的桥式整流器电路的AC/DC发光装置的等效电路图。
图10A为依据本发明的实施例的AC/DC发光装置的俯视结构图。
图10B为依据本发明的实施例的AC/DC发光装置的剖面图。
图11为依据本发明的实施例的移除第10b图的原始基板的AC/DC发光装置的剖面图。
图12-22为依据本发明的其他实施例的AC/DC发光装置的剖面图。
附图标记说明
D、D1、D2、D3、D4、D5:微型发光二极管
L1、L2:电流回路
S1-S4:肖特基二极管(SBD)
21、22:桥式整流器电路
31、32:桥式整流器电路
41:侧分支
42:中间分支
101:焊垫
103:导电连接层
105、105′:接触金属
200:基板
201、203:半导体层
205:有源层
207、209:电极
207a、209a:电极
211、211a、211b:导电连接层
213、213a:绝缘层
220:基板
230、230a:电子元件
301、303:半导体层
305:有源层
307、309:电极
307a、309a:电极
311:导电连接层
311a:粘着层
320:置换基板
322:绝缘接合层
330、330a:电子元件
420:基板
具体实施方式
在本申请的说明书中,AC/DC发光装置使用桥式整流器电路作为其基本电路构造,也结合了倒装技术或薄膜LED的概念。微型发光二极管或肖特基二极管互相电连接以构成桥式整流器电路。在AC/DC发光装置的制造过程中,发光装置的微型发光二极管可通过粘着层而接合至散热基板,而非设置在原始基板,用以改善散热能力与发光效率。散热基板可以是一种置换基板或一种次载具(sub-mount)。导电配线可形成于微型发光二极管、置换基板或次载具(sub-mount)的表面上。此外,在桥式整流电路的每个电路分支中的微型发光二极管或肖特基二极管可串联、并联或串并联混合电连接。此外,其他电子元件可形成于置换基板上,并电连接至AC/DC发光装置的微型发光二极管,能增加AC/DC发光装置的效率、可靠度及使用寿命。以下将参考相关附图的说明来介绍AC/DC发光装置的电路构造的数个实施例。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;晶元光电股份有限公司,未经财团法人工业技术研究院;晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010202435.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:扩散阻挡及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类