[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201010202435.6 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN101908534A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 叶文勇;颜玺轩;陈泽澎 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包含:
基板;
多个粘着层,配置于该基板上;以及
多个微型二极管,配置于该基板上,该多个微型二极管互相电连接以构成桥式整流器电路,并经由该多个粘着层接合至该基板,其中该多个微型二极管包含:
多个微型发光二极管,配置于该桥式整流器电路的中间分支上;以及
多个肖特基二极管,配置于该桥式整流器电路的其他分支上并埋入于该基板中。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中位于该桥式整流器电路的该中间分支上的该多个微型发光二极管被双向驱动。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个微型二极管互相电连接以构成串联连接的两个以上的该桥式整流器电路。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个微型二极管互相电连接以构成并联连接的两个以上的该桥式整流器电路。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中该桥式整流器电路还合并有至少一整流器分支。
6.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个粘着层被使用作为该多个微型二极管的多个下电极,并将该多个微型二极管接合至该基板。
7.如权利要求1所述的发光装置,还包含多个导电连接层,其形成于该多个微型发光二极管上,并电连接在该多个微型发光二极管的多个电极之间。
8.如权利要求7所述的发光装置,其中该多个导电连接层通过金属蒸镀、扩散或离子注入法而形成于该多个微型发光二极管上。
9.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个微型二极管为水平式二极管,其具有位于其相同侧的电极。
10.如权利要求1所述的发光装置,还包含电子元件,其配置于该基板上或埋入于该基板中,并电连接至该多个微型二极管。
11.如权利要求10所述的发光装置,其中该电子元件包含电容器、转换器、变压器、突波吸收器、高电子迁移率晶体管或静电放电保护电路。
12.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个微型二极管为垂直式二极管,其具有位于其相反侧的电极。
13.如权利要求1所述的发光装置,其中该基板为硅基板或碳化硅基板。
14.如权利要求1所述的发光装置,其中该基板为导电基板,且该多个粘着层包含多个绝缘接合层。
15.如权利要求14所述的发光装置,其中该绝缘接合层的材料为选自于包含聚酰亚胺、环苯丁烷和过氯环丁烷的有机粘着剂。
16.如权利要求1所述的发光装置,其中该多个粘着层的材料为选自于包含聚酰亚胺、环苯丁烷和过氯环丁烷的有机粘着剂。
17.如权利要求1所述的发光装置,其中每个微型发光二极管包含两个半导体层及在该两个半导体层之间的有源层,而该多个半导体层的材料选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGAInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN和ZnSe。
18.如权利要求17所述的发光装置,其中该有源层的厚度小于300mn。
19.如权利要求17所述的发光装置,其中当该半导体层的该材料为GaN 时,该发光装置的厚度少于4um。
20.如权利要求1所述的发光装置,其中该发光装置为惠斯通电桥式交流电发光二极管。
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