[发明专利]透明导电薄膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 201010198124.7 申请日: 2010-06-10
公开(公告)号: CN101894601A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 邓泰均;李鹏;吴胜红 申请(专利权)人: 泰阳电子(东莞)有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;B05D1/02;B05D3/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 谭一兵
地址: 523325 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 透明 导电 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于用热喷雾法获得所述的透明导电薄膜,包括如下步骤:

①、首先将微晶玻璃板用去离子水和酒精进行清洗,将清洗过的微晶玻璃板放入升温炉里,加热到400℃~800℃,烘干待用;

②、配制喷涂液,喷涂液的材料的质量百分比如下:

氧化锡前体    25%~40%

锑前体        0.5%~1.2%

钡前体        0.6%~1.6%

HCl           15%~25%

酒精          40%~60%,

用盐酸溶解氧化锡前体,用酒精分别溶解锑前体和钡前体,用磁力搅拌器搅拌均匀,把三种溶液混合、搅拌,得到均匀的喷涂液;

③、将上述配制好的喷涂液用喷枪喷涂到加热的微晶玻璃板上,在炉膛末端,玻璃温度在400℃~700℃,在此温度下喷涂,炉膛末端设置一排喷枪,喷涂时以压缩的空气为气体载体,每次的沉积时间固定为4~8秒;

④、取出喷涂后的微晶玻璃板,把喷涂后的微晶玻璃板放入隧道炉内烧结,烧结时间为45~60分钟;

⑤、然后把微晶玻璃板进入到保温区,保温10~200分钟,随炉冷却到室温,得到成品。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:步骤②所述的氧化锡前体是SnCl4.5H2O或SnCl2.2H2O的任意一种。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:步骤②所述的锑前体是Sb2Cl3,所述的钡的前体是BaO或BaCl2的任意一种形式。

4.根据权利要求2所述的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:步骤②所述的溶液以四氯化锡为主,氯化铋为掺杂剂。

5.根据权利要求3所述的透明导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述氧化钡为温度系数平衡剂、盐酸为辅助剂、酒精为溶剂。

6.一种透明导电薄膜,其特征在于:主体材料氧化锡中掺杂有锑元素所构成的锡锑氧化物,所述薄膜的原材料的质量百分比如下:

SnCl4.5H2O    25%~40%

Sb2Cl3        0.5%~1.2%

BaO           0.6%~1.6%

HCl           15%~25%

酒精          40%~60%。

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