[发明专利]扩散阻挡及其形成方法

权利要求书

1.一种在半导体装置制造中使用的形成扩散阻挡的方法，所述方法包括：

在构图的层间电介质层上方，通过物理气相沉积工艺，沉积铱掺杂的钽基阻挡层；

其中所述阻挡层以至少60％原子重量的铱浓度沉积，使得所述阻挡层具有所得的非晶结构。

2.根据权利要求1的方法，其中所述阻挡层包括非晶铱钽层和非晶铱钽氮化物层之一。

3.根据权利要求1的方法，还包括通过物理气相沉积在所述阻挡层上形成铜仔晶层。

4.根据权利要求1的方法，其中所述构图的层间电介质层在暴露其上沉积所述阻挡层的下金属层的顶表面的双金属镶嵌配置中被构图。

5.一种半导体装置的扩散阻挡结构，包括：

形成于构图的层间电介质层上方的铱掺杂的钽基阻挡层；

其中所述阻挡层以至少60％的原子重量的铱浓度形成，使得所述阻挡层具有所得的非晶结构。

6.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在层间电介质层中形成一或者更多的双金属镶嵌沟槽和通孔结构图案，所述层间电介质层形成于下导体层上方；

通过物理气相沉积工艺，在所述构图的层间电介质层和所述下导体层的被暴露的部分上方沉积牺牲层，所述牺牲层包括第一铱掺杂的钽基层；

选择性地去除所述牺牲层的水平表面并且在所述下导体层中形成凹坑；并且

通过物理气相沉积，在层间电介质层、保留的所述牺牲层的垂直部分、以及对应于所述凹坑的所述下导体层的被暴露的部分上方沉积阻挡层，所述阻挡层包括第二铱掺杂的钽基层；

其中所述牺牲和阻挡层两者都以至少60％原子重量的铱浓度沉积以便具有所得的非晶结构。

7.根据权利要求6的方法，其中所述牺牲层包括非晶铱钽层和非晶铱钽氮化物层之一。

8.根据权利要求7的方法，其中所述阻挡层包括非晶铱钽氮化物层。

9.根据权利要求7的方法，还包括通过物理气相沉积在所述阻挡层上形成铜仔晶层。

10.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

在层间电介质层中形成通孔图案，所述层间电介质层形成于下导体层的上方；

通过物理气相沉积工艺，在所述构图的层间电介质层和所述下导体层的被暴露的部分上方沉积牺牲层，所述牺牲层包括第一铱掺杂的钽基层；

选择性地去除所述牺牲层的水平表面并且在所述下导体层中形成凹坑；

在所述层间电介质层中构图一或者更多的沟槽；

通过物理气相沉积，在层间电介质层、保留的所述牺牲层的垂直部分、以及对应于所述凹坑的所述下导体层的被暴露的部分上方沉积阻挡层，所述阻挡层包括第二铱掺杂的钽基层；

其中所述牺牲和阻挡层两者都以至少60％的原子重量的铱浓度沉积，以便具有所得的非晶结构。

11.根据权利要求10的方法，其中所述牺牲层包括非晶铱钽层和非晶铱钽氮化物层之一。

12.根据权利要求11的方法，其中所述阻挡层包括非晶铱钽氮化物层。

13.根据权利要求11的方法，还包括通过物理气相沉积在所述阻挡层上形成铜仔晶层。