[发明专利]一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法

权利要求书

1.一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、将块状的纯度为99.99wt.％的纯Cu与颗粒状的纯度为99.99wt.％纯Al混合，混合料中纯Cu含量为99.8～98.0wt.％，纯Al含量为0.2～2.0wt.％；

b、将混合后的物料置于电弧炉中，然后将炉体抽真空至0.5Pa～5.0Pa后，通入高纯氩气，氩气的纯度为99.999％～99.9999％，高纯氩气通入流量为3000～6000cm³/min，气压为一个大气压，采用水冷，底部不熔化的方法进行冶炼；

c、启动电弧炉，通过辉光放电使Cu和Al合金元素在1150℃～1200℃熔化，反复熔炼6～8次。每次熔炼5～8分钟，制成CuAl合金锭。

d、将CuAl合金锭用线切割切成小块后在轧制机上轧制成厚度为0.5mm的薄片，将薄片冲制成直径为5mm的CuAl合金圆片，然后放入通有纯度为99.999％～99.9999％高纯氢气的加热炉中在400℃～700℃温度中进行退火；

e、在退火温度内保温360min～1440min，在通有纯度为99.999％～99.9999％高纯氢气的环境中冷却至室温，制备成抗氧化铜样品。

2.按照权利要求1所述的一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，其特征在于，步骤c所述的反复熔炼6～8次，每次熔炼温度为1150℃～1200℃，熔炼时间为5～8分钟，之后停止熔炼，降至室温，打开炉子上下翻转物料，再次重新熔化冶炼，如此反复熔炼6～8次。

3.按照权利要求1所述的一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，其特征在于，步骤c所述的辉光放电功率为2～10kW。

4.按照权利要求1所述的一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，其特征在于，步骤d所述的通入高纯氢气的气体通入量为50cm³/min。