[发明专利]分立栅存储器件的形成方法

权利要求书

1.一种分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、第一多晶硅层、层间绝缘层以及第二多晶硅层；

刻蚀所述第二多晶硅层和层间绝缘层直至露出第一多晶硅层，形成控制栅；

在所述控制栅和刻蚀后的层间绝缘层侧壁上形成侧墙；

以控制栅与侧墙为掩膜，采用各向同性的等离子刻蚀工艺刻蚀第一多晶硅层，使刻蚀后的第一多晶硅层外侧具有尖端。

2.如权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述各向同性等离子刻蚀工艺的刻蚀气体包括Cl₂、O₂以及HBr。

3.如权利要求2所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述等离子刻蚀工艺的工艺参数包括：通入HBr/Cl₂混合气体，混合体积比为8.25～12；通入HBr/O2混合气体，混合体积比为85～140；保持刻蚀腔内的气压为10mTorr～15mTorr。

4.如权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，先采用所述各向同性的等离子刻蚀工艺刻蚀部分厚度的第一多晶硅层，再采用各向异性的等离子刻蚀工艺继续刻蚀第一多晶硅层未被控制栅覆盖的部分，直至露出栅介质层。

5.如权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述采用各向同性的等离子刻蚀工艺刻蚀第一多晶硅层，直至露出栅介质层。

6.如权利要求4所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述采用各向同性的等离子刻蚀工艺刻蚀去除的第一多晶硅层厚度范围为

7.如权利要求1所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，在控制栅表面形成掩膜后，还包括步骤：过刻蚀曝露出的第一多晶硅层。

8.如权利要求7所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述过刻蚀采用的刻蚀气体包括CF₄。

9.如权利要求8所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述过刻蚀的工艺参数包括：射频功率大于等于600w，偏置电压小于等于120V，通入CF₄气体流量小于等于50sccm，保持刻蚀腔内的气压小于等于6mTorr。

10.如权利要求9所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述过刻蚀去除第一多晶硅层的厚度范围为

11.如权利要求4或5所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，刻蚀第一多晶硅层露出栅介质层后，还包括：

定义出源区；

对所述源区进行离子注入；

在侧墙的外侧、源区的上方依次形成隧穿绝缘层以及擦除栅。

12.如权利要求11所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述源区离子注入类型为磷或砷，注入剂量为2×10¹⁵/cm²至4×10¹⁵/cm²。

13.根据权利要求11所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿绝缘层的形成方法为低压化学气相淀积工艺。

14.根据权利要求11所述的分立栅存储器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿绝缘层的厚度为