[发明专利]装置及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路，且特别涉及包括具有基板穿孔插销连接情形(through-substrate via connections)的发光装置(light-emitting device，LED)的一种集成电路。

背景技术

近年来，如发光二极管(light-emitting diode)、激光二极管(laser diodes)与紫外光光检测器(UV photo-detector)的光学装置的使用已为频繁。如氮化镓(GaN)、GaAsP、GaPN、AlInGaAs、GaAsPN、AlGaAs及其合金等III族或V族的化合物材料已证实为适用于上述光学装置的使用。III族或V族的化合物材料的较大能隙(bandgap)与高电子饱和速率亦使得其成为高温与高速的电源电子装置应用中的极佳选择。

由于于一般成长温度下的氮的高平衡压力，因此并不容易得到GaN材质的块状结晶物。如此，GaN膜层与各别的发光二极管通常形成于符合GaN特性的其他基板上。蓝宝石(sapphire，Al₂O₃)为常用的基板材料。然而，经观察，蓝宝石具有低的热传导率(thermal conductivity)。如此，由发光二极管所产生的热能无法有效地通过蓝宝石基板而逸散。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种装置及其制造方法，以解决上述实施例。

依据一实施例，本发明利用多重基板穿孔插销以电性连接形成于基板上的发光二极管。一第一基板穿孔插销自基板的一后侧至一前侧而延伸穿透基板，且包括电性连结于发光二极管的一第一覆盖层的一第一基板穿孔插销导体。一第二基板穿孔插销自基板的一后侧至第一覆盖层或一透明导电层而延伸穿透基板与发光二极管的一有源层。第二基板穿孔插销包括电性隔离于一第二基板穿孔插销导体与第一覆盖层及有源层的一隔离层。此外，可形成假基板穿孔插销，以选择性地传导来自于发光二极管的热通过一封装基板。假基板穿孔插销可与第一基板穿孔插销或第二基板穿孔插销同时形成。可更形成一欧姆接触层以较均匀地分布用于开启发光二极管的一电流。于欧姆接触层上可更形成透明导电层。于基板上可形成有一反射物，反射物内形成有开口以提供第一基板穿孔插销、第二基板穿孔插销与假基板穿孔插销的空间。

依据一实施例，本发明提供了一种装置，包括：

一发光二极管，位于该基板上，其中该发光二极管包括一第一覆盖层、位于该第一覆盖层上的一有源层以及位于该有源层上的一第二覆盖层；一第一基板穿孔插销，自该基板的该后表面延伸至该基板的该前表面，该第一基板穿孔插销包括了一第一基板穿孔插销导体；以及一第二基板穿孔插销，自该基板的该后表面延伸至该第二覆盖层，该第二基板穿孔插销包括了一第二基板穿孔插销导体与一隔离层，而该隔离层电性隔离了于该第二基板穿孔插销内的第二基板穿孔插销导体与该基板、该第一覆盖层与该有源层。

依据另一实施例，本发明提供了一种装置，包括：

一基板，包括一第一侧与相对于该第一侧的一第二侧；一发光二极管，位于该基板上，其中该发光二极管包括位于该基板上的经第一导电特性的一第一杂质所掺杂的一第一III-V族化合物层、位于该第一III-V族化合物层上的一有源层以及位于该有源层上的经第二导电特性的一第二杂质所掺杂的一第二III-V族化合物层；一第一基板穿孔插销，自该基板的该第一侧延伸至该第一III-V族化合物层，该第一基板穿孔插销包括一第一基板穿孔插销导体；以及一第二基板穿孔插销，自该基板的该第一侧延伸至该第二III-V族化合物层，该第二基板穿孔插销包括一第二基板穿孔插销导体与环绕该第二基板穿孔插销导体的一隔离层，其中该第一基板穿孔插销与第二基板穿孔插销用于接受开启该发光二极管以发出光线的电压。

依据又一实施例，本发明提供了一种装置，包括：

一基板；一发光二极管装置，位于该基板上；一第一基板穿孔插销与一第二基板穿孔插销，贯穿该基板并延伸与停止于一有源层的相对侧，其中该第一基板穿孔插销与该第二基板穿孔插销用于传输一电压至该发光二极管；一第一假基板穿孔插销，贯穿该基板；以及一封装基板，结合于该基板上，其中该封装基板包括一第三基板穿孔插销与一第四基板穿孔插销，分别电性耦接于该第一基板穿孔插销与该第二基板穿孔插销，以及一假接垫，电性耦接于该第一假基板穿孔插销。

依据另一实施例，本发明提供了一种装置的制造方法，包括：