[发明专利]装置及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201010192817.5 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN102157662A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 黄信杰 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 北京市德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;高雪琴
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 装置 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

一基板,包括一前表面与一后表面;

一发光装置,位于该基板上,其中该发光装置包括:

一第一覆盖层;

一有源层,位于该第一覆盖层上;以及

一第二覆盖层,位于该有源层上;

一第一基板穿孔插销,自该基板的该后表面延伸至该基板的该前表面,该第一基板穿孔插销包括了一第一基板穿孔插销导体;以及

一第二基板穿孔插销,自该基板的该后表面延伸至该第二覆盖层,该第二基板穿孔插销包括了一第二基板穿孔插销导体与一隔离层,而该隔离层电性隔离了于该第二基板穿孔插销内的第二基板穿孔插销导体与该基板、该第一覆盖层与该有源层。

2.如权利要求1所述的装置,其中该第二基板穿孔插销至少部分穿透该第二覆盖层,而位于该第一基板穿孔插销内的该第一基板穿孔插销导体电性接触了第一覆盖层但未电性耦接于该有源层。

3.一种装置,包括:

一基板,包括一第一侧与相对于该第一侧的一第二侧;

一发光装置,位于该基板上,其中该发光装置包括:

经第一导电特性的一第一杂质所掺杂的一第一III-V族化合物层,位于该基板上;

一有源层,位于该第一III-V族化合物层上;以及

经第二导电特性的一第二杂质所掺杂的一第二III-V族化合物层,位于该有源层上;

一第一基板穿孔插销,自该基板的该第一侧延伸至该第一III-V族化合物层,该第一基板穿孔插销包括一第一基板穿孔插销导体;以及

一第二基板穿孔插销,自该基板的该第一侧延伸至该第二III-V族化合物层,该第二基板穿孔插销包括一第二基板穿孔插销导体与环绕该第二基板穿孔插销导体的一隔离层,其中该第一基板穿孔插销与第二基板穿孔插销用于接受开启该发光装置以发出光线的电压。

4.如权利要求1或3所述的装置,还包括多个假基板穿孔插销,位于该基板内。

5.如权利要求3所述的装置,还包括一封装基板,连结于该发光装置之上。

6.如权利要求1或3所述的装置,其中该第一基板穿孔插销还包括分隔该第一基板穿孔插销与该基板的一隔离层。

7.一种装置,包括:

一基板;

一发光装置,位于该基板上;

一第一基板穿孔插销与一第二基板穿孔插销,贯穿该基板并延伸与停止于一有源层的相对侧,其中该第一基板穿孔插销与该第二基板穿孔插销用于传输一电压至该发光装置;

一第一假基板穿孔插销,贯穿该基板;以及

一封装基板,结合于该基板上,其中该封装基板包括:

一第三基板穿孔插销与一第四基板穿孔插销,分别电性耦接于该第一基板穿孔插销与该第二基板穿孔插销;以及

一假接垫,电性耦接于该第一假基板穿孔插销。

8.如权利要求7所述的装置,其中该封装基板还包括位于该封装基板内的一第二假基板穿孔插销并通过一假接垫而电性耦接于该第一假基板穿孔插销。

9.一种装置的形成方法,包括:

提供一基板;

形成一发光装置,包括:

形成一第一覆盖层于该基板上;

形成一有源层于该第一覆盖层上;

形成一第二覆盖层于该有源层上;

形成一第一开口,延伸至该第一覆盖层;

形成一第二开口,至少延伸至该第二覆盖层;

于该第一开口与第二开口内填入一周围隔离层;

移除该第一开口内的该周围隔离层的一底部;

移除该第二开口内的该周围隔离层的一底部;以及

于该第一与第二开口内填入导电材料,以分别形成一第一基板穿孔插销与一第二基板穿孔插销。

10.如权利要求9所述的装置的形成方法,其中形成该第一开口的步骤早于形成该第一覆盖层的步骤,而形成该第二开口的步骤晚于形成该有源层的步骤。

11.如权利要求9所述的装置的形成方法,其中形成该第一基板穿孔插销或形成该第二基板穿孔插销的步骤施行时,同时形成多个假基板穿孔插销。

12.如权利要求9所述的装置的形成方法,其中该第一基板穿孔不接触该有源层。

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