[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010192517.7 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270575A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 沈满华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在半导体衬底上依次形成栅极介质层、多晶硅层和刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成图案化硬掩膜层；
以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述刻蚀停止层形成图案化刻蚀停止层；
以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层和栅极介质层形成栅极，所述栅极包括图案化栅极介质层和图案化多晶硅层；
在所述栅极侧壁和半导体衬底表面形成保护层；
利用干法刻蚀方式去除所述图案化硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的材质为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10～
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层是利用退火工艺形成。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为600～900℃，所述退火工艺使用的反应气体为O2和N2的混合物，所述反应气体中O2的流量为50～1000sccm，所述反应气体中N2的流量为50～1000sccm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述图案化硬掩膜层的材质为氮化硅或氮氧化硅。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为二氧化硅。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为10～
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述图案化硬掩膜层使用的刻蚀气体为CH3F和O2的混合物，所述刻蚀气体中CH3F的流量为50～500sccm，所述刻蚀气体中O2的流量为10～500sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
