[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

绝缘体上半导体衬底，其包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层，所述半导体层被掺杂有第一导电类型的掺杂剂；

栅极，其位于所述半导体层上，所述栅极包括位于所述半导体层上的栅极电介质层和位于所述栅极电介质层上的栅极导体层；

在所述半导体层中的源极扩展区和漏极扩展区，所述源极扩展区和所述漏极扩展区接触所述栅极电介质层，所述源极扩展区和所述漏极扩展区被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂；

在所述半导体层中的深漏极区，所述深漏极区接触所述漏极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层；

在所述半导体层中的深源极区，所述深源极区接触所述源极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层，所述深漏极区和所述深源极区被掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂；

漏极金属-半导体合金接触，其位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区；以及

源极金属-半导体合金接触，其端接所述源极扩展区，

其中所述深源极区位于所述源极金属-半导体合金接触的第一部分之下且与其接触，所述深源极区不位于所述源极金属-半导体合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极金属-半导体合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述源极和漏极金属-半导体合金接触包括金属硅化物。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述半导体层包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区包围包括硅的有源区域，并且所述源极和漏极扩展区以及所述深源极和漏极区都形成在所述有源区域中。

4.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第二部分位于所述源极金属-半导体合金接触的一端处。

5.根据权利要求1的半导体器件，

其中所述深源极区不位于所述源极金属-半导体合金接触的第三部分之下且不与其接触，从而所述源极金属-半导体合金接触的所述第三部分是直接接触所述半导体层的内部体接触，并且

所述第一部分使所述第二部分与所述第三部分分隔。

6.根据权利要求5的半导体器件，

其中所述深源极区位于所述源极金属-半导体合金接触的第四部分之下且与其接触，并且所述深源极区不位于所述源极金属-半导体合金接触的第五部分之下且不与其接触，从而所述源极金属-半导体合金接触的所述第五部分是直接接触所述半导体层的内部体接触，并且

所述第四部分使所述第一部分与所述第五部分分隔。

7.一种集成电路，其包括电路支撑衬底，所述电路支撑衬底包括半导体器件，所述半导体器件包括：

绝缘体上半导体衬底，其包括掩埋的绝缘体层和上覆的半导体层，所述半导体层被掺杂有第一导电类型的掺杂剂；

栅极，其位于所述半导体层上，所述栅极包括位于所述半导体层上的栅极电介质层和位于所述栅极电介质层上的栅极导体层；

在所述半导体层中的源极扩展区和漏极扩展区，所述源极扩展区和所述漏极扩展区接触所述栅极电介质层，所述源极扩展区和所述漏极扩展区被掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂；

在所述半导体层中的深漏极区，所述深漏极区接触所述漏极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层；

在所述半导体层中的深源极区，所述深源极区接触所述源极扩展区且端接所述掩埋的绝缘体层，所述深漏极区和所述深源极区被掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂；

漏极金属-半导体合金接触，其位于所述深漏极区的上部上且端接所述漏极扩展区；以及

源极金属-半导体合金接触，其端接所述源极扩展区，

其中所述深源极区位于所述源极金属-半导体合金接触的第一部分之下且与其接触，所述深源极区不位于所述源极金属-半导体合金接触的第二部分之下且不与其接触，从而所述源极金属-半导体合金接触的所述第二部分是直接接触所述半导体层的内部体接触。

8.根据权利要求7的集成电路，其中所述源极和漏极金属-半导体合金接触包括金属硅化物。

9.根据权利要求7的集成电路，其中所述半导体层包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区包围包括硅的有源区域，并且所述源极和漏极扩展区以及所述深源极和漏极区都形成在所述有源区域中。