[发明专利]电容器的制作方法无效
| 申请号： | 201010192354.2 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270567A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;沈忆华;史运泽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 制作方法 | ||
1.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干沟槽；
在沟槽侧壁及底部形成衬氧化层；
在沟槽侧壁形成覆盖上面部分衬氧化层的氮化物层；
以氮化物层为掩膜，刻蚀沟槽内曝露的衬氧化层及半导体衬底，形成面积增大区；
在沟槽内面积增大区的侧壁及底部形成第一电极；
去除氮化物层后，在第一电极上及沟槽侧壁依次形成介质层和第二电极。
2.如权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮化硅，厚度为200埃～300埃。
3.如权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，形成氮化物层的方法为原子层沉积法。
4.如权利要求2所述电容器的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积法采用的气体为SiH2Cl2和NH3混合气体，其中SiH2Cl2的流量为0.1slm～1.5slm，NH3的流量为2slm～10slm。
5.如权利要求2所述电容器的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积法采用的温度为400℃～600℃，反应压力为5Pa～50pa。
6.如权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，刻蚀衬氧化层方法为湿法刻蚀法，采用溶液为氢氟酸、氟化铵和水的混合溶液。
7.如权利要求5所述电容器的制作方法，其特征在于，氢氟酸、氟化铵和水的混合溶液的比例为1∶7∶130，其中氢氟酸的浓度为49％，氟化铵的浓度为40％。
8.如权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，刻蚀半导体衬底方法为湿法刻蚀法，采用氨水溶液。
9.如权利要求7所述电容器的制作方法，其特征在于，所述氨水溶液的浓度为NH4OH∶H2O＝1∶100。
10.如权利要求1所述电容器的制作方法，其特征在于，去除氮化物层的方法为法刻蚀法，采用的溶液为磷酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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