[发明专利]一种多层薄膜的沉积方法有效
申请号: | 201010191763.0 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN102094180A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 赵彦辉;肖金泉;郎文昌;于宝海;华伟刚;高立军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/22;C23C14/06 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 薄膜 沉积 方法 | ||
1.一种多层薄膜的沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)通过交替通入气体,精确控制气体流量和气体通入时间;
(2)采用电弧离子镀技术沉积钛/氮化钛多层薄膜。
2.按照权利要求1所述的多层薄膜的沉积方法,其特征在于:采用气体质量流量控制器实现多路气体氩气和氮气的交替通入,且实现气体流量和气体交替通入时间的精确控制。
3.按照权利要求2所述的多层薄膜的沉积方法,其特征在于:采用气体质量流量控制器实现氩气的气体流量10~200sccm和氮气的气体流量10~200sccm的交替通入,且设定不同气体均交替通入1~30次。
4.按照权利要求1所述的多层薄膜的沉积方法,其特征在于,在高速钢或硬质合金工件表面沉积多层薄膜过程中,对气体流量进行精确控制,过程是:
(1)采用金属纯钛靶,待真空室内真空度达到5×10-3Pa~1×10-2Pa时,打开气体开关,开启气体质量流量控制器,设定所需的气体流量,先通入氩气,气压控制在0.5~2Pa之间,开启基体偏压至-500V~-1000V范围,使气体发生辉光放电,对样品进行辉光清洗5~10分钟;然后,调整Ar气流量,使真空室气压调整为0.2~0.6Pa,同时开启钛弧,对样品继续进行Ti+离子轰击1~5分钟;
(2)进入多层薄膜沉积过程,首先调整基体偏压为-100~-400V范围,设定气压为0.1~1Pa范围;启动设定气体质量流量控制器中的多种气体交替控制开关,设定氮气和氩气流量分别为所需流量10~200sccm,设定不同层沉积时间为30s~5min;
(3)沉积结束后,气体流量通入关闭,关闭基体偏压,关闭钛弧电源开关,继续抽真空,样品随炉冷却至50℃以下,镀膜过程结束。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010191763.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:反渗透系统阻垢剂投加控制装置
- 下一篇:一种钟表
- 同类专利
- 专利分类