[发明专利]内部电压发生器

权利要求书

1.一种内部电压发生器，包括：

检测单元，被配置为与参考电压相比较地检测内部电压的电平；

第一驱动单元，被配置为响应于所述检测单元的输出信号来对内部电压端子进行放电，经由所述内部电压端子输出所述内部电压；

电流检测单元，被配置为检测流经所述第一驱动单元的放电电流；以及

第二驱动单元，被配置为响应于所述电流检测单元的输出信号来对所述内部电压端子进行充电。

2.如权利要求1所述的内部电压发生器，其中，所述检测单元包括比较单元，所述比较单元被配置为比较与所述内部电压的目标电平相对应的所述参考电压和所述内部电压的反馈电压。

3.如权利要求1所述的内部电压发生器，其中，所述电流检测单元被配置为对流经所述第一驱动单元的所述放电电流进行镜像并且控制所述第二驱动单元。

4.如权利要求3所述的内部电压发生器，其中，所述电流检测单元被配置为根据流经所述第一驱动单元的所述放电电流来调整所述电流检测单元的所述输出信号的电压电平。

5.如权利要求2所述的内部电压发生器，其中，所述第一驱动单元包括：

第一NMOS晶体管，耦接于接地电压端子与所述内部电压端子之间，并且具有接收所述比较单元的输出信号的栅极。

6.如权利要求5所述的内部电压发生器，其中，所述电流检测单元包括：

第二NMOS晶体管，耦接于所述接地电压端子与检测节点之间，且具有接收所述比较单元的输出信号的栅极；以及

第一电流源，被配置为将第一电流输出至所述检测节点。

7.如权利要求6所述的内部电压发生器，其中，所述第二NMOS晶体管的阈值电压低于所述第一NMOS晶体管的阈值电压。

8.如权利要求5所述的内部电压发生器，其中，所述电流检测单元包括：

第二NMOS晶体管，耦接于所述接地电压端子与第一检测节点之间，且具有接收所述比较单元的输出信号的栅极；

第一电流源，被配置为将第一电流输出至所述第一检测节点；

第三NMOS晶体管，耦接于所述接地电压端子与第二检测节点之间，且具有耦接至所述第一检测节点的栅极；以及

第二电流源，被配置为将第二电流输出至所述第二检测节点。

9.如权利要求8所述的内部电压发生器，其中，所述第二NMOS晶体管的阈值电压低于所述第一NMOS晶体管的阈值电压。

10.如权利要求1所述的内部电压发生器，其中，所述第二驱动单元被配置为响应于由所述电流检测单元检测到流经所述第一驱动单元的零放电电流来对所述内部电压端子进行充电。

11.一种内部电压发生器，包括：

比较单元，被配置为比较与内部电压的目标电平相对应的参考电压和所述内部电压的反馈电压；

第一NMOS晶体管，耦接于接地电压端子与内部电压端子之间，具有接收所述比较单元的输出信号的栅极，且被配置为对所述内部电压端子进行放电；

第二NMOS晶体管，耦接于所述接地电压端子与检测节点之间，且具有接收所述比较单元的所述输出信号的栅极；

第一电流源，被配置为将第一电流输出至所述检测节点；以及

第三NMOS晶体管，耦接于所述内部电压端子与电源电压端子之间，具有耦接至所述检测节点的栅极，且被配置为对所述内部电压端子进行充电。

12.如权利要求11所述的内部电压发生器，其中，所述第二NMOS晶体管的阈值电压低于所述第一NMOS晶体管的阈值电压。