[发明专利]一种催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法无效
| 申请号： | 201010187500.2 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101871086A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 侯惠君;代明江;林松盛;韦春贝;宋进兵 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 氮碳共渗 金刚石 复合 制备 方法 | ||
1.一种催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法，其特征是由以下步骤组成：
1)稀土金属氧化物催渗等离子氮碳共渗：将基材除锈除油后置于离子渗氮炉中，压力50Pa以下，通入氮气∶氢气＝2∶1～10∶1和含有稀土金属氧化物饱和的C1～3烷基醇溶液蒸汽的混合气体，炉压为200～1500Pa，炉温450～600℃，保温1～10小时，然后随炉温降至室温；
2)沉积DLC膜层：①将上述稀土金属氧化物催渗等离子氮碳共渗处理后的工件，烘干后放入真空室中，本底真空度5.0×10-3Pa，温度100～200℃，工件转速2～10rpm；②在压力0.2～1.0Pa，离子源0.2～2kW和偏压50～1000V下，用Ar离子轰击清洗10～30min；③沉积DLC膜层：采用C2H2或CH4为碳源，气流量50～150sccm，Ar气流量100～150sccm，离子源0.2～2.0kW，偏压50～200V，压力0.2～1.0Pa或采用石墨靶为碳源，Ar压力0.2～1.0Pa，磁控溅射功率0.5～10W/cm2，离子源0.2～1.0kW，偏压50～200V。
2.根据权利要求1所述的催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法，其特征是所述稀土金属氧化物为氧化钇、氧化镧或氧化铈。
3.根据权利要求1所述的催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法，其特征是所述C1～3烷基醇为甲醇、乙醇或异丙醇。
4.根据权利要求1所述的催渗等离子氮碳共渗与类金刚石复合膜层的制备方法，其特征是所述混合气体中C1～3烷基醇溶液蒸汽占体积百分为10～22％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州有色金属研究院，未经广州有色金属研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010187500.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
