[发明专利]一种减少读取干扰的静态随机存储器

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种减少读取干扰的静态随机存储器。

背景技术

集成电路之内的元件密度可以利用缩减空间的集成电路设计(reducedgeometry integrated circuit designs)原则，来增加集成电路的性能以及降低其实际成本。包含Flash、SRAM(静态随机存取存储器)、OUM、EEPROM、FRAM、MRAM等的现代集成电路存储器件都是利用此存数单元(memory cell)的原则的明显实例。集成电路存储器件内的密度正持续地增加，而与之伴随的是这类器件的单位存储成本的相应降低。密度的增加是利用在器件内制作较小的结构，以及利用缩减元件之间或构成元件的结构之间的分隔空间而完成的。通常，这类较小尺寸的设计准则(design rules)会伴随有布局，设计以及构造的修正，当使用这类较小尺寸的设计准则时，这些修正改变要通过缩减元件的大小才能实现，而且还要维持器件性能。作为一种实例，在多种现有的集成电路之中其操作电压的降低，是由于诸如缩减栅极氧化物厚度，以及增进微影程序控制上的误差才可能完成的。另一方面，缩减尺寸的设计准则也使得降低操作电压变成必要，以便小尺寸元件若以已有的较高操作电压操作时，得以限制所会产生的热载流子(hot carriers)。第一代SRAM模块采用大尺寸DIP封装，该封装具有一定的高度，因为电池和RAM芯片叠放于DIP封装之中。DIP封装的优点在于器件可以插入DIP插座，方便替换和存储，或从一个印制板转移到另一个。虽然这些优点至今仍非常有用，但相比之下，更有必要发展表面贴装技术，以及将工作电压由5V变为3.3V。第二代SRAM模块采用两片式方案——PowerCap模块(PCM)，即由直接焊接到印刷板的基座(包含SRAM)以及PowerCap(也就是锂电池)两部分组成。与DIP模块相比，这类器件具有两个主要优点：它们采用表面贴装，并且具有标准引脚配置。换句话说，无论多大容量的SRAM，其封装和引脚数是相同的。因此，设计人员可以加大系统存储容量，而无须担心需要改变PCB布局。电池更换起来也很容易。第三代也就是最新的SRAM模块，它不但解决了先前产品所存在的问题，同时增加了更多功能。这类新型SRAM是单片BGA模块，内置可充电锂电池。和PCM一样，采用这种封装形式的所有SRAM无论其容量大小，封装尺寸和引脚配置都是相同的。此类模块采用表面贴装，并且是单片器件。因此设计更加坚固可靠，较上一代器件可承受更强的机械震动。由于电池是可充电的，因此数据保存时间的概念有了另外一层含义。用等效使用寿命一词来描述更为恰当，这类器件等效使用寿命可高达200年。另外，这种模块能承受+230℃的回流焊温度，而提供的无铅封装器件可承受+260℃的温度。