[发明专利]一种减少读取干扰的静态随机存储器无效
| 申请号： | 201010187375.5 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102034531A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 读取 干扰 静态 随机 存储器 | ||
1.一种减少读取干扰的静态随机存储器，包括：
第一CMOS倒相器，由第一NMOS管和第二PMOS管组成；
第二CMOS倒相器，由第二NMOS管和第二PMOS管组成，所述第一CMOS倒相器和所述第二CMOS倒相器交叉耦合形成双稳态触发器；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极、所述第一NMOS管的源极均相连；
第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极和所述第二PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的源极均相连；
其特征在于：
所述静态随机存储器还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的漏极连接低电平。
2.根据权利要求1所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极相连。
3.根据权利要求1或2所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接高电平。
4.根据权利要求1所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第三MOS管的源极和所述第二PMOS管的栅极相连。
5.根据权利要求1所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第三MOS管的源极和所述第二NMOS管的栅极相连。
6.根据权利要求1所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极相连。
7.根据权利要求1所述的减少读取干扰的静态随机存储器，其特征在于：所述第二NMOS管的漏极连接低电平。
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