[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号: | 201010187222.0 | 申请日: | 2010-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN102263187A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 谢明村;曾文良;陈隆欣;林志勇;叶进连;廖启维 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件,特别涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
作为一种新兴的光源,发光二极管凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点,已被广泛地应用到当前的各个领域当中,大有取代传统光源的趋势。
传统的发光二极管通常包括一基底、设置于基底上的发光二极管芯片、封装于发光二极管芯片上的荧光物质及透明盖板。发光二极管芯片发出的光可激发荧光物质发出不同波长的光,从而与发光二极管芯片发出的光混合成不同颜色例如白色的光。然而发出的光是从具有高折射率的荧光物质与透明盖板向具有低折射率的空气进行传播,在荧光物质与透明盖板的界面处以及在透明盖板与空气的界面处就难免产生全反射,以致光反射回发光二极管芯片而无法射出,从而影响发光二极管的出光效率。因此业者通常会在发光二极管芯片的表面上形成光子晶体结构,以增加发光二极管的出光效率。目前多为利用纳米转印技术以形成光子晶体结构,虽然纳米转印技术可以大批量制作出具有光子晶体结构的模仁,但精度不高,以至影响光子晶体结构的性能,从而对发光二极管的出光效率产生负面影响。另外,纳米转印通常还会产生残留层过厚与均匀度不高的问题。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种发光二极管封装结构及其制造方法,利用该制造方法得到的发光二极管具有更高的出光效率。
一种发光二极管封装结构,包括用于封装发光二极管芯片的封装体,所述封装体的内表面、外表面及入光面中的至少一面上形成光子晶体图案,且所述光子晶体图案系利用晶圆级基板模仁加工形成。
一种发光二极管封装结构的制造方法,其步骤包括:
提供发光二极管芯片,将发光二极管芯片设置在一封装基板上并电性连结到外部电极;
提供晶圆级基板模仁;
加工所述晶圆级基板模仁,使晶圆级基板模仁上形成光子晶体图案;
提供封装材料,并将封装材料填充至晶圆级基板模仁内形成封装体,其中封装体的表面具有上述光子晶体图案;及
将封装体封装于发光二极管芯片上。
与现有技术相比,本发明发光二极管封装结构利用晶圆级基板作为模仁,并加工晶圆级基板模仁使其上形成光子晶体图案,可精确形成光子晶体,从而提高发光二极管的出光效率。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。
图2为本发明一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。
图3至图5为本发明不同实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。
图6至图10为本发明不同实施例的发光二极管封装结构的制造过程示意图。
主要元件符号说明
封装体 10
空间 100
内表面 102
入光面 103
外表面 104
发光二极管芯片 12
基板 14
光子晶体图案 20、20a、20b、20c、20d
晶圆级基板模仁 30、31
上模仁 312
注射通道 313
下模仁 314
切割线 315
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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