[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010187222.0 申请日: 2010-05-31
公开(公告)号: CN102263187A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 谢明村;曾文良;陈隆欣;林志勇;叶进连;廖启维 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括用于封装发光二极管芯片的封装体,其特征在于:所述封装体的内表面、外表面及入光面中的至少一面上形成光子晶体图案,且所述光子晶体图案系利用晶圆级基板模仁加工形成。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述光子晶体图案的密度呈梯度分布。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述光子晶体图案的密度与经过封装体的光强度成正比。

4.一种发光二极管封装结构的制造方法,其步骤包括:

提供发光二极管芯片,将发光二极管芯片设置在一封装基板上并电性连结到外部电极;

提供晶圆级基板模仁;

加工所述晶圆级基板模仁,使晶圆级基板模仁上形成光子晶体图案;

提供封装材料,并将封装材料填充至晶圆级基板模仁内形成封装体,其中封装体的表面具有上述光子晶体图案;及

将封装体封装于发光二极管芯片上。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:采用电铸加工或高能量束加工所述晶圆级基板模仁而形成光子晶体图案。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装材料为玻璃、硅胶、PC或者PMMA。

7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装材料中填充有荧光粉。

8.如权利要求4或7所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装材料中填充有扩散剂。

9.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述封装体的至少一个表面上涂布有荧光粉。

10.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述光子晶体图案的密度在晶圆级基板模仁上呈梯度分布。

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