[发明专利]一种查找缺陷掩模板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造领域，特别涉及一种查找缺陷掩膜版的方法。

背景技术

在半导体芯片制造的光刻工艺中，如果掩膜版出现某种缺陷(颗粒脏污、金属膜有针孔等)，会在晶片上的曝光场shot内产生重复性缺陷，如图1(其中一个方格代表一个shot)。每层掩膜版对应一个shot，每个shot内有若干个芯片die，shot与die的关系参见图2(图中画出了6个shot，每个shot中有16个die，其中带小黑点的die代表有缺陷的die)。有时候掩膜版的缺陷为致命缺陷，会导致良率的损失。由于同时曝光到晶片的掩膜版一般都不止一层，大都在10层以上，所以需要先找到有缺陷的掩膜版，再针对掩膜版做清洁或者修补。

目前查找有缺陷的掩膜版的方法有两种：(1)芯片制造厂将每层掩膜版的图形，曝光到晶片上，逐层用缺陷扫描机台扫描，确定有缺陷的掩膜版。(2)芯片制造厂将掩膜版送到掩膜版厂，用专用扫描设备对每层掩膜版进行扫描，找到有缺陷的掩膜版。

对于方法(1)，扫描时要求必须采用die by die(逐个芯片)扫描模式，即相邻die进行比较，每三个die中，缺陷die与另两个die不同。这种方法扫描的效率较低，有时候还不一定能扫描出缺陷，而且有的芯片制造厂没有配备此类扫描机台。对于方法(2)，要将掩模版送到掩膜版厂，所以耗时很长，而且当掩膜版层数多时，扫描的经济成本非常高。

综上所述，现有技术查找缺陷掩膜版的方法效率低、耗时长、经济成本高。

发明内容

本发明实施例提供了一种查找缺陷掩膜版的方法，用以解决现有技术中查找缺陷掩膜版效率低、耗时长和经济成本高的问题。

本发明实施例提供的一种查找有缺陷的掩膜版的方法包括：

从需要曝光的掩膜版中，选取至少一层掩膜版；

确定选取的掩膜版对应的shot，其中，选取的每层掩膜版对应不同的shot；

针对每一个shot，将该shot对应的掩膜版上的指定区域曝光到该shot的整个区域上，以及将除该shot对应的掩膜版之外的其他各个掩膜版的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上；

对每个shot进行良率测试得到每个shot的待验证良率值，并根据每个shot的待验证良率值，确定每个shot对应的掩膜版是否有缺陷。

确定每个shot对应的掩膜版是否有缺陷包括：

判断shot的待验证良率值是否为100％，如果是，则确定该shot对应的掩膜版有缺陷；否则确定该shot对应的掩膜版没有缺陷。

从需要曝光的掩膜版中，选取至少一层掩膜版之前还包括：

在确定shot上存在重复性缺陷后，确定每个shot的初始良率值。

确定每个shot对应的掩膜版是否有缺陷包括：

将shot的待验证良率值和该shot的初始良率值进行比较，判断待验证良率值是否大于初始良率值；如果是，则确定该shot对应的掩膜版有缺陷；否则确定该shot对应的掩膜版没有缺陷。

指定区域是无缺陷的区域。

根据下列步骤选取无缺陷区域：

确定所述掩膜版上有缺陷的区域；

从掩膜版的整个区域中，选择除有缺陷的区域之外的其它区域的一部分或者全部作为所述无缺陷区域。

待验证良率值是指shot中无缺陷的die占该shot中所有die的比例。

初始良率值是指shot中无缺陷的die占该shot中所有die的比例。

对选取的掩膜版对应的每个shot进行良率测试包括：

对shot内的每一个die进行良率测试。

对shot内的每一个die进行良率测试包括：

以行或列为单位对shot内的每一个die进行良率测试。

采用本发明实施例提供的查找缺陷掩膜版的方法，通过将选取的掩膜版上无缺陷的区域曝光到对应的shot的整个区域的方式，并根据后续的shot良率测试结果就能确定该shot对应的掩膜版是否有缺陷，提高查找缺陷掩膜版的效率、缩短耗时、降低经济成本。

附图说明

图1为本发明实施例晶片上所有shot上产生重复性缺陷的示意图；

图2为本发明实施例shot与die的关系示意图；

图3为本发明实施例查找缺陷掩膜版的方法流程图；

图4为本发明实施例将掩膜版上无缺陷的区域曝光到该掩膜版对应的shot的整个区域的示意图；

图5为第一种查找缺陷掩膜版的方式的示意图；