[发明专利]一种查找缺陷掩模板的方法有效
| 申请号: | 201010184628.3 | 申请日: | 2010-05-20 |
| 公开(公告)号: | CN102253595A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 马万里;赵文魁 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 查找 缺陷 模板 方法 | ||
1.一种查找缺陷掩膜版的方法,其特征在于,包括:
从需要曝光的掩膜版中,选取至少一层掩膜版;
确定选取的所述掩膜版对应的曝光场shot,其中,选取的每层所述掩膜版对应不同的shot;
针对每一个shot,将该shot对应的掩膜版上的指定区域曝光到该shot的整个区域上,以及将除该shot对应的掩膜版之外的其他各个掩膜版的整个区域叠加曝光到该shot的整个区域上;
对每个所述shot进行良率测试得到每个所述shot的待验证良率值,并根据每个所述shot的待验证良率值,确定每个所述shot对应的所述掩膜版是否有缺陷。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定每个所述shot对应的所述掩膜版是否有缺陷包括:
判断所述shot的所述待验证良率值是否为100%,如果是,则确定所述shot对应的掩膜版有缺陷;否则确定所述shot对应的掩膜版没有缺陷。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述从需要曝光的掩膜版中,选取至少一层掩膜版之前还包括:
在确定shot上存在重复性缺陷后,确定每个shot的初始良率值。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述确定每个所述shot对应的所述掩膜版是否有缺陷包括:
将所述shot的所述待验证良率值和所述shot的所述初始良率值进行比较,判断所述待验证良率值是否大于所述初始良率值;如果是,则确定所述shot对应的掩膜版有缺陷;否则确定所述shot对应的掩膜版没有缺陷。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述指定区域是无缺陷的区域。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,根据下列步骤选取所述无缺陷区域:
确定所述掩膜版上有缺陷的区域;
从所述掩膜版的整个区域中,选择除有缺陷的区域之外的其它区域的一部分或者全部作为所述无缺陷区域。
7.如权利要求1~6任一所述的方法,其特征在于,所述待验证良率值是指所述shot中无缺陷的芯片die占所述shot中所有die的比例。
8.如权利要求3~4任一所述的方法,其特征在于,所述初始良率值是指所述shot中无缺陷的die占所述shot中所有die的比例。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对选取的所述掩膜版对应的每个所述shot进行良率测试包括:
对所述shot内的每一个die进行良率测试。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述对所述shot内的每一个die进行良率测试包括:
以行或列为单位对所述shot内的每一个所述die进行良率测试。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





