[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，更特别地涉及一种半导体器件结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体器件结构的应用越来越广泛。一般而言，在衬底上形成最后的图案金属导线层后，还会在其上形成钝化层结构以防止器件的结构遭受诸如刮伤等的机械方式的损害以及诸如水气或其它污染源的侵入等的化学方式的损害。

但随着技术的发展和客户需求的进一步提高，除了需要钝化层结构起到保护器件的作用外，在某些类型的器件中还需要实现一次性编程(OTP)功能或再分布连线(RDL)功能。

因此，有必要对现有的钝化层结构进行改进，以使其既可以进行一次性编程又可以实现再分布连线，还可以保护器件结构。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决上述问题，本发明提出一种半导体器件结构，包括：

前端器件层结构，在所述前端器件层结构中具有露出其上表面的导线层；

第一钝化层，所述第一钝化层具有贯穿所述第一钝化层的上表面和下表面的通孔，所述第一钝化层形成在所述前端器件层结构的上表面，且所述通孔位于所述导线层的上方；

铝垫层，所述铝垫层位于所述通孔中和所述第一钝化层的上表面；和

第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面；

其中，所述第一钝化层包括第一薄膜层，所述第一薄膜层包括在所述前端器件层结构的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；

所述第二钝化层包括第二薄膜层，所述第二薄膜层包括位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面的第二紫外氮化硅薄膜层。

进一步地，所述氮化硅薄膜层的厚度为500～1000埃。

进一步地，所述氮化硅薄膜层的厚度为700埃。

进一步地，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为3500～5000埃。

进一步地，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为4000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为3000埃。

进一步地，所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。

进一步地，所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度为3000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层和所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度之和为5000～8000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层和所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度之和为6000埃。

进一步地，所述第一钝化层还包括形成在所述前端器件层结构与所述氮化硅薄膜层之间的刻蚀停止层。

进一步地，在所述通孔中，位于所述前端器件层结构的上表面还具有氮化钽层。

本发明该提供一种制造半导体器件结构的方法，包括：

a)提供前端器件层结构，在所述前端器件层结构中具有露出其上表面的导线层；

b)在所述前端器件层结构的上表面形成具有通孔的第一钝化层，所述通孔贯穿所述第一钝化层的上表面和下表面，且所述通孔位于所述导线层的上方；

c)在所述通孔中和所述第一钝化层的上表面形成铝垫层；

d)在所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面形成第二钝化层；

其中，所述步骤b)为在所述前端器件层结构的上表面自下而上依次形成氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；

所述步骤d)为在所述铝垫层的上表面和所述第一钝化层的上表面形成第二紫外氮化硅薄膜层。

进一步地，所述氮化硅薄膜层的厚度为500～1000埃。

进一步地，所述氮化硅薄膜层的厚度为700埃。

进一步地，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为3500～5000埃。

进一步地，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为4000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。

进一步地，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为3000埃。