[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

前端器件层结构，在所述前端器件层结构中具有露出其上表面的导线层；

第一钝化层，所述第一钝化层具有贯穿所述第一钝化层的上表面和下表面的通孔，所述第一钝化层形成在所述前端器件层结构的上表面，且所述通孔位于所述导线层的上方；

铝垫层，所述铝垫层位于所述通孔中和所述第一钝化层的上表面；和

第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面；

其中，所述第一钝化层包括第一薄膜层，所述第一薄膜层包括在所述前端器件层结构的上表面自下而上依次形成的氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；

所述第二钝化层包括第二薄膜层，所述第二薄膜层包括位于所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面的第二紫外氮化硅薄膜层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜层的厚度为500～1000埃。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述氮化硅薄膜层的厚度为700埃。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为3500～5000埃。

5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为4000埃。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为3000埃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度为3000埃。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜层和所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度之和为5000～8000埃。

11.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜层和所述第二紫外氮化硅薄膜层的厚度之和为6000埃。

12.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一钝化层还包括形成在所述前端器件层结构的上表面与所述氮化硅薄膜层之间的刻蚀停止层。

13.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，在所述通孔中，位于所述前端器件层结构的上表面还具有氮化钽层。

14.一种制造半导体器件结构的方法，包括：

a)提供前端器件层结构，在所述前端器件层结构中具有露出其上表面的导线层；

b)在所述前端器件层结构的上表面形成具有通孔的第一钝化层，所述通孔贯穿所述第一钝化层的上表面和下表面，且所述通孔位于所述导线层的上方；

c)在所述通孔中和所述第一钝化层的上表面形成铝垫层；

d)在所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面形成第二钝化层；

其中，所述步骤b)为在所述前端器件层结构的上表面自下而上依次形成氮化硅薄膜层、等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层和第一紫外氮化硅薄膜层；

所述步骤d)为在所述第一钝化层的上表面和所述铝垫层的上表面形成第二紫外氮化硅薄膜层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜层的厚度为500～1000埃。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜层的厚度为700埃。

17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为3500～5000埃。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述等离子体增强正硅酸乙脂薄膜层的厚度为4000埃。

19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一紫外氮化硅薄膜层的厚度为2500～4000埃。