[发明专利]半导体芯片的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有防止在该半导体晶片的切割过程中该晶片的后表面的碎裂(chipping)的晶片保护膜的半导体芯片的制备方法。

发明背景

该倒装芯片连接(flip-chip connection)方法用于降低半导体芯片的安装表面积。这种连接方法典型地包括：(1)在半导体晶片的上表面上形成电路和接线块，(2)抛光该半导体晶片的后表面直至得到预设的厚度，(3)切割该半导体晶片以形成半导体芯片，(4)将各芯片连接到基底以使得在其上形成该电路的表面朝向该基底，和(5)随后进行树脂封装或其他以保护该半导体芯片。

然而，在抛光步骤(2)中，在该芯片的后表面上形成非常微细的条纹状划痕，这些划痕在该切割和包装步骤之后能够产生裂缝。因此，即使这些类型的条纹状划痕是在抛光步骤中产生的，为了防止该划痕对后续步骤产生不利的影响，已经提出了其中在该抛光步骤(2)之后在该晶片的后表面上形成保护性膜(芯片保护膜)的技术。而且，为了形成这种类型的芯片保护膜，已经提出了由脱模片材(release sheet)和在该脱模片的脱模表面上形成的保护膜形成层组成的片材(参见专利文件1和专利文件2)。

现有技术文件

专利文件

专利文件1    JP 2002-280329 A

专利文件2    JP 2004-260190 A

发明内容

本发明要解决的技术问题

另一方面，已知在上述的切割步骤中，该晶片有时能够受到旋转刀片摆动的损伤(下文将这种损伤称作“碎裂”)。

上述的芯片保护膜预期用于防止该切割过程中的碎裂，但因为该芯片的处理也发生在从该未固化的芯片保护膜上除去该基底膜之后，那么如果某物与该芯片保护膜的表面接触并造成其损伤，则容易导致产品收率的降低。此外，因为该损伤的部分缺乏平整性，因此在切割膜和芯片保护膜之间产生缝隙，这意味着会产生其中该切割膜和该保护膜不接触的部分。作为该保护膜的这种不平整性的结果，在该芯片保护膜和该切割膜之间以不规则方式产生空气层，这种空气层能够在该晶片的切割过程中造成旋转刀片的摆动，导致对该晶片造成甚至更大的损伤。

该芯片保护膜施加在其上的该晶片具有在该晶片的上表面上形成的半导体电路，是在与该后表面上形成的该保护膜相反一侧上。该上表面还包括电路保护层和焊球，其保护该芯片表面上的电路并与将该电路与该安装基底电连接。

上述的该保护膜和该电路保护层通常是由有机材料制成的，因此具有比构成该晶片的单晶硅更大的线性膨胀系数。因此，当该半导体芯片以电路表面朝上定位时，该芯片容易弯曲以使得在该芯片的后表面上形成凸起的形状。这种弯曲在该晶片内产生应力，如果该应力变得过大，其能够产生碎裂。

因此，本发明的目的是解决上述列出的问题，并提供半导体芯片的制备方法，其中通过防止在处理该晶片的过程中对芯片保护膜的损伤，能够提高产品收率，在该切割过程中能够实现优良的切割性能，并能够降低该晶片的弯曲。

问题的解决手段

作为深入研究的结果，本发明的发明人发现通过包括以下的半导体芯片的制备方法能够实现上述目的：

将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触，该保护膜形成片材包括在一个表面上的具有可脱模性的基底膜和提供在具有可脱模性的基底膜的表面上的由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜，

然后固化该保护膜，和然后

从所得到的固化的保护膜上剥落该基底膜。

发明效果

在依照本发明制备半导体芯片的方法中，在该基底膜仍附着时固化该半导体芯片保护膜，因此该保护膜不可能被固化之前的处理损伤，导致产品收率的改进。此外，改进了该保护膜的平整性，抑制了该半导体晶片的弯曲，这意味着能够更好地防止碎裂。该方法还在切割过程中产生了优良的切割性能。

实施本发明的最佳方式

下面呈现了本发明的更详细的描述。在该描述中，术语“重均分子量”(也略写为Mw)表示通过凝胶渗透色谱法和引用的对比聚苯乙烯标准测定的重均分子量。

保护膜形成组合物